SiC estaldura suszeptorearen gaineko geruza mehe bat da, lurrun-deposizio kimikoaren (CVD) prozesuaren bidez. Silizio karburoaren materialak abantaila ugari eskaintzen ditu silizioaren aldean, besteak beste, 10 aldiz matxura eremu elektrikoaren indarra, 3 aldiz banda hutsunea, materialari tenperatura eta erresistentzia kimiko altuak, higadura erresistentzia bikaina eta eroankortasun termikoa eskaintzen dituena.
Semicorex-ek zerbitzu pertsonalizatua eskaintzen du, gehiago irauten duten osagaiekin berritzen laguntzen dizu, ziklo-denborak murrizten eta etekinak hobetzen laguntzen dizu.
SiC estaldurak hainbat abantaila berezi ditu
Tenperatura Handiko Erresistentzia: CVD SiC estalitako susceptor-ek 1600 °C arteko tenperatura altuak jasan ditzake degradazio termiko nabarmenik jasan gabe.
Erresistentzia kimikoa: siliziozko karburozko estaldurak erresistentzia bikaina eskaintzen die produktu kimiko askori, azidoei, alkaliei eta disolbatzaile organikoei barne.
Higadura-erresistentzia: SiC estaldurak higadura-erresistentzia bikaina eskaintzen dio materialari, eta higadura handia duten aplikazioetarako egokia da.
Eroankortasun termikoa: CVD SiC estaldurak eroankortasun termiko handia ematen dio materialari, bero-transferentzia eraginkorra behar duten tenperatura altuko aplikazioetan erabiltzeko egokia da.
Erresistentzia eta zurruntasun handia: siliziozko karburozko suszeptoreak erresistentzia eta zurruntasun handia ematen dio materialari, eta erresistentzia mekaniko handia behar duten aplikazioetarako egokia da.
SiC estaldura hainbat aplikaziotan erabiltzen da
LED fabrikazioa: CVD SiC estalitako susceptor LED mota ezberdinetako prozesatutako fabrikazioan erabiltzen da, LED urdina eta berdea, UV LED eta UV LED sakona barne, bere eroankortasun termiko eta erresistentzia kimiko handia dela eta.
Komunikazio mugikorra: CVD SiC estalitako susceptor HEMTren zati erabakigarria da GaN-on-SiC epitaxia-prozesua osatzeko.
Erdieroaleen prozesamendua: CVD SiC estalitako susceptor erdieroaleen industrian erabiltzen da hainbat aplikaziotarako, besteak beste, obleak prozesatzeko eta hazkunde epitaxialerako.
SiC estalitako grafito osagaiak
Silizio Karburozko Estaldurak (SiC) grafitoz egina, estaldura CVD metodo baten bidez aplikatzen da dentsitate handiko grafitoaren kalifikazio espezifikoetan, beraz, tenperatura altuko labean funtziona dezake 3000 °C baino gehiago atmosfera geldo batean, 2200 °C hutsean. .
Materialaren propietate bereziek eta masa baxuek berotze-tasa azkarrak, tenperatura banaketa uniformea eta kontrolean zehaztasun bikaina ahalbidetzen dute.
Semicorex SiC Coating-en materialaren datuak
Propietate tipikoak |
Unitateak |
Balioak |
Egitura |
|
FCC β fasea |
Orientazioa |
Zatikia (%) |
111 hobetsi |
Solteko dentsitatea |
g/cm³ |
3.21 |
Gogortasuna |
Vickers gogortasuna |
2500 |
Bero Ahalmena |
J kg-1 K-1 |
640 |
Hedapen termikoa 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Gazteen Modulua |
Gpa (4 puntuko bihurgunea, 1300 ℃) |
430 |
alearen tamaina |
μm |
2~10 |
Sublimazio-tenperatura |
℃ |
2700 |
Indar felesural |
MPa (RT 4 puntu) |
415 |
Eroankortasun termikoa |
(W/mK) |
300 |
Ondorioa CVD SiC estalitako susceptor susceptor eta silizio karburoaren propietateak konbinatzen dituen material konposatua da. Material honek propietate bereziak ditu, tenperatura eta erresistentzia kimiko altuak barne, higadura erresistentzia bikaina, eroankortasun termiko handia eta indar eta zurruntasun handia. Propietate hauek tenperatura altuko hainbat aplikaziotarako material erakargarria bihurtzen dute, erdieroaleen prozesaketa, prozesaketa kimikoa, tratamendu termikoa, eguzki-zelulen fabrikazioa eta LED fabrikazioa barne.
Bere dentsitate eta eroankortasun termiko bikainarekin, Semicorex Durable SiC-Coated Barrel Susceptor aukera ezin hobea da prozesu epitaxialetan eta erdieroaleen fabrikazioko beste aplikazio batzuetan erabiltzeko. Bere purutasun handiko SiC estaldurak babes eta bero-banaketaren propietate bikainak eskaintzen ditu, emaitza fidagarri eta koherenteak lortzeko.
Irakurri gehiagoBidali kontsultaErdieroaleen fabrikazioari dagokionez, Semicorex Tenperatura Altuko SiC-Coated Barrel Susceptor errendimendu eta fidagarritasun handiagoa lortzeko aukerarik onena da. Bere kalitate handiko SiC estaldurak eta aparteko eroankortasun termikoa ezin hobea da tenperatura altuko eta ingurune korrosiborik zorrotzenetan erabiltzeko.
Irakurri gehiagoBidali kontsultaBere urtze-puntu altuarekin, oxidazio-erresistentziarekin eta korrosioarekiko erresistentziarekin, Semicorex SiC-Coated Barrel Susceptor aukera ezin hobea da kristal bakarreko hazkuntza aplikazioetan erabiltzeko. Bere siliziozko karburozko estaldurak lautasun eta bero banaketa ezaugarri apartak eskaintzen ditu, tenperatura altuko ingurune zorrotzenetan ere errendimendu fidagarria eta koherentea bermatuz.
Irakurri gehiagoBidali kontsultaGarbitasun handiko SiCz estalitako kalitate handiko grafito susceptor baten bila bazabiltza, erdieroalean SiC estaldura duen Semicorex Barrel Susceptor aukera ezin hobea da. Bere eroankortasun termikoaren eta beroaren banaketaren propietate apartak erdieroaleen fabrikazio aplikazioetan erabiltzeko aproposa da.
Irakurri gehiagoBidali kontsultaBere dentsitate eta eroankortasun termiko handiagoarekin, Semicorex SiC Estalitako Barril Susceptor hazkuntza epitaxialerako aukera ezin hobea da tenperatura altuko eta ingurune korrosiboetan erabiltzeko. Garbitasun handiko SiCz estalita, grafitozko produktu honek babes eta bero banaketa bikaina eskaintzen du, erdieroaleen fabrikazio aplikazioetan errendimendu fidagarria eta koherentea bermatuz.
Irakurri gehiagoBidali kontsultaSemicorex SiC Coated Barrel Susceptor Wafer Epitaxial-erako aukera ezin hobea da kristal bakarreko hazkuntza aplikazioetarako, bere gainazal laua eta kalitate handiko SiC estaldurari esker. Bere urtze-puntu altua, oxidazioaren erresistentzia eta korrosioarekiko erresistentzia aukera ezin hobea da tenperatura altuko eta ingurune korrosiboetan erabiltzeko.
Irakurri gehiagoBidali kontsulta