Txina SiC Substratua Fabrikatzaileak, hornitzaileak, fabrika

Material erdieroalearen zati mehe bati oblea deitzen zaio, kristal bakarreko material oso puruz osatuta dagoena. Czochralski prozesuan, erdieroale monokristalino oso puru baten lingote zilindriko bat egiten da urtu batetik hazi-kristal bat ateraz.

Silizio karburoa (SiC) eta bere politipoak giza zibilizazioaren parte dira aspalditik; konposatu gogor eta egonkor honen interes teknikoa 1885 eta 1892an gauzatu zuten Cowless eta Acheson-ek ehotzeko eta ebakitzeko, eskala handian fabrikatzeko.

Propietate fisiko eta kimiko bikainek silizio karburoa (SiC) hautagai nabarmena bihurtzen dute hainbat aplikaziotarako, besteak beste, tenperatura altuko, potentzia handiko eta maiztasun handiko gailu eta optoelektronikoetarako, fusio-erreaktoreetako egiturazko osagaia, gasez hoztutako estaldurarako materiala. fisio-erreaktoreak, eta Pu-ren transmutaziorako matrize inerte bat. SiC poli-mota desberdinak, hala nola 3C, 6H eta 4H, asko erabili dira. Ioien inplantazioa teknika kritikoa da Si-n oinarritutako gailuak ekoizteko dopanteak selektiboki sartzeko, p motako eta n motako SiC obleak fabrikatzeko.

Lingoteagero xerra egiten da silizio karburozko SiC obleak eratzeko.

Silizio-karburoaren materialaren propietateak

Politipoa	Kristal bakarreko 4H
Kristalezko egitura	Hexagonala
Bandgap	3,23 eV
Eroankortasun termikoa (n mota; 0,020 ohm-cm)	a~4,2 W/cm • K @ 298 K c~3,7 W/cm • K @ 298 K
Eroankortasun termikoa (HPSI)	a~4,9 W/cm • K @ 298 K c~3,9 W/cm • K @ 298 K
Sarearen parametroak	a=3,076 Å c=10,053 Å
Mohs gogortasuna	~9.2
Dentsitatea	3,21 g/cm³
Therm. Hedapen-koefizientea	4-5 x 10^-6/K

SiC obleen mota desberdinak

Hiru mota daude:n motako sic ostia, p motako sic ostiaetapurutasun handiko ostia erdi isolatzailea. Dopinak silizio-kristal batean ezpurutasunak sartzen dituen ioien inplantazioari egiten dio erreferentzia. Dopatzaile hauei esker, kristalaren atomoek lotura ionikoak eratzen dituzte, garai batean berezko kristala estrintseko bihurtuz. Prozesu honek bi ezpurutasun mota sartzen ditu; N motakoa eta P motakoa. Bihurtzen den 'mota' erreakzio kimikoa sortzeko erabilitako materialen araberakoa da. N motako eta P motako SiC oblearen arteko aldea dopingean erreakzio kimikoa sortzeko erabiltzen den lehen materiala da. Erabilitako materialaren arabera, kanpoko orbitalak bost edo hiru elektroi izango ditu negatiboki kargatuta (N motakoa) eta positiboki kargatuta (P motakoa).

N motako SiC obleak energia berriko ibilgailuetan, goi-tentsioko transmisioan eta azpiestazioetan, ekipamendu zurietan, abiadura handiko trenetan, motorretan, inbertsore fotovoltaikoetan, pultsuen elikadura-iturrietan eta abarretan erabiltzen dira nagusiki. Ekipoen energia-galera murrizteko abantailak dituzte, hobetuz. ekipoen fidagarritasuna, ekipoen tamaina murriztea eta ekipoen errendimendua hobetzea, eta abantaila ordezkaezinak dituzte potentzia-gailu elektronikoak egiteko.

Garbitasun handiko SiC oblea erdi isolatzailea potentzia handiko RF gailuen substratu gisa erabiltzen da batez ere.

Epitaxia - III-V Nitruroen Deposizioa

SiC, GaN, AlxGa1-xN eta InyGa1-yN geruza epitaxialak SiC substratuan edo zafiro substratuan.

View as

8 hazbeteko P-Type SIC Wafers

ZemorXAk 8 hazbeteko P-Type SIC Wafers-ek hurrengo belaunaldiko potentzia, RF eta tenperatura altuko gailuetarako emanaldi bikaina ematen du. Aukeratu erdibideko kalitate kristalinaren, industria-uniformetasuna eta konfiantza fidagarria SIC material aurreratuetan. *

Irakurri gehiago Bidali kontsulta

12 hazbeteko SIC Secstratu erdi-isolatzaile

SIC-Seardeteko 12 hazbeteko SIC Secretating SIC-ixtenak maiztasun handiko, potentzia handiko eta fidagarritasun handiko aplikazioen erdieroaleentzako diseinatutako hurrengo belaunaldiko materiala dira. SIC-en berrikuntzan fidagarria den lider batekin elkartzea esan nahi du, aparteko kalitatea, zehaztasun ingeniaritza eta irtenbide pertsonalizatuak bidaltzeko konpromisoa hartzea zure gailu teknologia aurreratuenak ahalduntzeko. *

Irakurri gehiago Bidali kontsulta

N motako SIC Substratuak

SIC SIC SIC-eko SICOrElfeoRex-ek erdieroaleen industria gidatzen jarraituko du errendimendu handiagoa eta energia kontsumo txikiagoa lortzeko, energia bihurtzeko energia eraginkorra izateko material oinarrizko gisa. Zemorxako produktuak berrikuntza teknologikoaren bidez bultzatzen dira, eta konpromisoa hartu dugu bezeroei konponbide material fidagarriak eskaintzeko eta bikotekideekin lan egitea energia berdearen aro berria definitzeko. *

Irakurri gehiago Bidali kontsulta

SiC Dummy Wafer

Semicorex SiC Dummy Wafer erdieroaleen fabrikazioan tresna espezializatua da, batez ere helburu esperimentaletarako eta probarako diseinatua.**

Irakurri gehiago Bidali kontsulta

3C-SiC obleen substratua

Semicorex 3C-SiC oblearen substratua SiCz egina dago kristal kubikoarekin. Urte askotan zehar erdieroaleen obleen fabrikatzaile eta hornitzaile izan gara. Espero dugu zure epe luzerako bazkide bihurtzea Txinan.

Irakurri gehiago Bidali kontsulta

8 hazbeteko N motako SiC oblea

Semicorex-ek hainbat motatako 4H eta 6H SiC obleak eskaintzen ditu. Urte asko daramatzagu obleen fabrikatzaile eta hornitzaile. Gure 8 hazbeteko N motako SiC obleak prezio abantaila ona du eta Europako eta Amerikako merkatu gehienak estaltzen ditu. Zure epe luzerako bazkide bihurtzea espero dugu Txinan.

Irakurri gehiago Bidali kontsulta

<1 2 3 >

Semicorex-ek urte asko daramatza SiC Substratua ekoizten eta Txinako SiC Substratua fabrikatzaile eta hornitzaile profesionaletako bat da. Soltean paketea hornitzen duten gure produktu aurreratu eta iraunkorrak erosten dituzunean, kantitate handia entrega azkar batean bermatzen dugu. Urteetan zehar, bezeroei zerbitzu pertsonalizatua eskaini diegu. Bezeroak pozik daude gure produktuekin eta zerbitzu bikainarekin. Zinez espero dugu zure epe luzerako negozio-bazkide fidagarria izatea! Ongi etorri gure fabrikako produktuak erostera.