N motako SIC Substratuak

Niziorex n motakoaSIC SubstratuakGoi-mailako ogientzako produktuak dira, hirugarren belaunaldiko banda erdieroaleen materialen arabera garatuak, tenperatura altuko, maiztasun handiko, potentzia handiko eta eraginkortasun handiko gailu elektronikoak dituzten eskakizun zorrotzak betetzeko diseinatua. Kristalaren hazkunde teknologiaren eta zehaztasunen prozesatzeko teknologiaren bidez, gure N motako SIC SIC-k propietate elektriko bikainak ditu, oinarrizko material bikainak eskaintzen ditu, oinarrizko materialak hornitzeko, energia-gailuak, hala nola, gailuak eta gailu optoelektronikoak fabrikatzeko, energia berrietan, ibilgailu elektrikoetan, 5g-ko ibilgailu elektrikoetan, 5g komunikazio eta industria-hornikuntzak sustatzea.

Silizioan oinarritutako erdieroaleekin alderatuta, silizio karburo eta galio nitruroek ordezkatutako banda erdieroale zabalak errendimendu bikainak dituzte materialaren amaierara. Maiztasun handiko, eraginkortasun handiko, potentzia handiko, tentsio handiko erresistentzia eta tenperatura altuko erresistentzia ditu. Etorkizunean erdieroaleen industria garatzeko norabide garrantzitsuak dira. Horien artean, N motako SIC substratek propietate fisiko eta kimiko bereziak erakusten dituzte. Bandgap zabalera altua, alta-eremu elektrikoaren indarra, elektroi-saturazio altuko deritzo tasa eta silizio karburoaren eroankortasun termiko altua funtsezkoa da, hala nola, potentzia gailu elektronikoak bezalako aplikazioetan. Ezaugarri horiek silizio karburoari abantaila garrantzitsuak ematen dizkiete errendimendu handiko aplikazio-eremuetan, hala nola EV eta fotovoltaikoak, batez ere egonkortasunari eta iraunkortasunari dagokionez. N motako SIC Substratuek merkatuaren aplikazio zabaleko potentziala dute potentzia erdieroale gailuetan, irrati maiztasuneko erdieroaleen gailuetan eta sortzen ari diren aplikazio-eremuetan. SIC Substratuak oso erabiliak erabil daitezke potentzia erdieroale gailuetan, irrati maiztasuneko erdieroale gailuetan eta beheko produktuak, hala nola uhin optikoak, TF-k iragazkiak eta bero-xahutzeko cmpponenteak. Aplikazio industria nagusiak, biltegiratze sistemak, energia-sareak, tren-garraioak, tren garraioa, komunikazioak, ai betaurrekoak, telefono adimendunak, erdieroale laserrak eta abar daude.

Potentzia erdieroaleen gailuak potentzia elektronikoko produktu elektronikoetan etengailu edo zuzentzaile gisa erabiltzen diren gailu erdieroaleak dira. Potentzia erdieroale gailuek batez ere botere diodoak, potentzia-trifoiak, tiristak, mosfektuak, IGBTak eta abar daude.

Cruise Range, kargatzeko abiadura eta gidatzeko esperientzia faktore garrantzitsuak dira EV. Silizioan oinarritutako potentzia erdieroaleen erdieroaleekin alderatuta, silikonean oinarritutako SIC Substratoen potentzia erdieroaleko gailuek abantaila garrantzitsuak dituzte, hala nola erresistentzia baxua, aldatzeko maiztasun altua, beroarekiko erresistentzia handia eta eroankortasun termiko handia. Abantaila horiek energia-galera modu eraginkorrean murriztu dezakete energia bihurketa estekan; Murriztu osagai pasiboen bolumena, esaterako, induktore eta kondentsadoreak, murriztu potentzia moduluen pisua eta kostua; Murriztu bero xahutzeko baldintzak, sinplifikatu kudeaketa termiko sistemak eta hobetu motorren kontrolaren erantzun dinamikoa. Horrela, gurutzaldi-barrutia, kargatzeko abiadura eta gidatzeko esperientzia hobetuz. Silizio karburoen erdieroaleen gailuak ev-ko osagaietan aplika daitezke, motorren unitateak, taulako kargagailuak (OBCak), DC / DC bihurgailuak, aire girotuko konpresoreak, tentsio handiko PTC berogailuak, eta aurrez kargatzeko erreleboak. Gaur egun, Silicon Carbide Power gailuetan, batez ere, motorren eta DC / DC bihurgailuetan erabiltzen dira. OBCari dagokionez, potentzia moduluak kanpoko AC potentzia DC potentziara bihur dezake bateria kargatzeko. Silicon Carbide Power moduluak% 40ko galerak murriztu ditzake, kargatzeko abiadura azkarragoa lortzeko eta erabiltzailearen esperientzia hobetzeko. DC / DC bihurgailuei dagokienez, bere funtzioa da goi-tentsio handiko bateriaren DC potentzia tentsio baxuko DC potentzial bihurtzea taula gainean. Silizio karburoen potentzia moduluak eraginkortasuna hobetzen du bero eta energia galtzea% 80 eta% 90 murriztuz, ibilgailuen tartean eragina minimizatuz.