Hasiera > Produktuak > Ostia > SiC ostia > 4 hazbeteko N motako SiC substratua
4 hazbeteko N motako SiC substratua
  • 4 hazbeteko N motako SiC substratua4 hazbeteko N motako SiC substratua
  • 4 hazbeteko N motako SiC substratua4 hazbeteko N motako SiC substratua

4 hazbeteko N motako SiC substratua

Semicorex-ek hainbat motatako 4H eta 6H SiC obleak eskaintzen ditu. Urte asko daramatzagu siliziozko karburoko produktuen fabrikatzaile eta hornitzaile. Gure 4 hazbeteko N motako SiC substratuak prezio abantaila ona du eta Europako eta Amerikako merkatu gehienak estaltzen ditu. Zure epe luzerako bazkide bihurtzea espero dugu Txinan.

Bidali kontsulta

Produktuaren Deskribapena

Semicorex-ek silizio karburoko (SiC) obleen produktuen linea osoa du, 4H eta 6H substratuak barne, N motako, P motako eta purutasun handiko oble erdi isolatzaileak dituztenak, epitaxiarekin edo gabe izan daitezke. 4 hazbeteko N motako SiC (siliziozko karburoa) substratua siliziozko karburozko kristal bakarretik egindako kalitate handiko oblea da, N motako dopingarekin.

4 hazbeteko N-motako SiC substratua energia-ibilgailu berrietan, goi-tentsioko transmisioan eta azpiestazioetan, ekipamendu zurietan, abiadura handiko trenetan, motor elektrikoetan, inbertsore fotovoltaikoetan, pultsatuko elikadura-iturrietan eta beste eremu batzuetan erabiltzen da, ekipamenduak murrizteko abantailak dituztenak. energia-galera, ekipoen fidagarritasuna hobetzea, ekipoen tamaina murriztea eta ekipoen errendimendua hobetzea eta abantaila ordezkaezinak ditu potentzia-gailu elektronikoak egiteko.

Elementuak

Ekoizpena

Ikerketa

Manikoa

Kristal Parametroak

Politipoa

4H

Gainazalaren orientazio errorea

<11-20 >4±0,15°

Parametro elektrikoak

Dopatzailea

n motako nitrogenoa

Erresistentzia

0,015-0,025 ohm·cm

Parametro mekanikoak

Diametroa

99,5 - 100 mm

Lodiera

350±25 μm

Orientazio lau nagusia

[1-100]±5°

Lehen mailako luzera laua

32,5±1,5 mm

Bigarren mailako posizio laua

90° CW lehen lautik ±5°. silizioa ahoz gora

Bigarren mailako luzera laua

18±1,5 mm

TTV

â¤5 μm

â¤10 μm

â¤20 μm

LTV

â¤2 μm (5mm*5mm)

â¤5 μm (5mm*5mm)

NA

Arkua

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

â¤20 μm

â¤45 μm

â¤50 μm

Aurrealdeko (Si-aurpegia) zimurtasuna (AFM)

Raâ¤0,2 nm (5µm*5µm)

Egitura

Mikrohodiaren dentsitatea

â¤1 ea/cm2

â¤5 ea/cm2

â¤10 ea/cm2

Metalezko ezpurutasunak

â¤5E10atomo/cm2

NA

BPD

â¤1500 ea/cm2

â¤3000 ea/cm2

NA

TSD

â¤500 ea/cm2

â¤1000 ea/cm2

NA

Aurrealdeko Kalitatea

Aurrealdea

Si

Gainazaleko akabera

Si-face CMP

Partikulak

â¤60ea/oblea (tamainaâ¥0,3μm)

NA

Marradurak

â¤2ea/mm. Luzera metatua â¤Diametroa

Luzera metatuaâ¤2*Diametroa

NA

Laranja azala/hobiak/orbanak/striadurak/ pitzadurak/kutsadura

Bat ere ez

NA

Ertzaren txirbilak/koskak/hausturak/hexagonaleko plakak

Bat ere ez

NA

Politipo eremuak

Bat ere ez

Azalera metatuaâ¤%20

Azalera metatuaâ¤% 30

Aurrealdeko laser markaketa

Bat ere ez

Itzuli Kalitatea

Atzeko akabera

C-aurpegia CMP

Marradurak

â¤5ea/mm,Luzera metatuaâ¤2*Diametroa

NA

Atzeko akatsak (ertzetako txirbilak/koskak)

Bat ere ez

Bizkarreko zakartasuna

Raâ¤0,2 nm (5µm*5µm)

Atzeko laser bidezko markaketa

1 mm (goiko ertzetik)

Ertza

Ertza

Txanflarra

Enbalajea

Enbalajea

Barruko poltsa nitrogenoz betetzen da eta kanpoko poltsa xurgatzen da.

Ostia anitzeko kasetea, epi-prest.

*Oharrakâ¼ "NA"-k ez du eskaerarik esan nahi Aipatutako elementuek SEMI-STD-ra aipa daitezke.





Hot Tags: 4 hazbeteko N motako SiC substratua, Txina, Fabrikatzaileak, Hornitzaileak, Fabrika, Pertsonalizatua, Solana, Aurreratua, Iraunkorra

Lotutako Kategoria

Bidali kontsulta

Mesedez, eman lasai zure kontsulta beheko formularioan. 24 ordutan erantzungo dizugu.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept