Hasiera > Produktuak > Ostia > SiC Substratua > 6 hazbeteko N motako SiC oblea
6 hazbeteko N motako SiC oblea
  • 6 hazbeteko N motako SiC oblea6 hazbeteko N motako SiC oblea
  • 6 hazbeteko N motako SiC oblea6 hazbeteko N motako SiC oblea

6 hazbeteko N motako SiC oblea

Semicorex-ek hainbat motatako 4H eta 6H SiC obleak eskaintzen ditu. Urte asko daramatzagu obleen fabrikatzaile eta hornitzaile. Gure leundu bikoitzeko 6 hazbeteko N motako SiC obleak prezio abantaila ona du eta Europako eta Amerikako merkatu gehienak estaltzen ditu. Zure epe luzerako bazkide bihurtzea espero dugu Txinan.

Bidali kontsulta

Produktuaren Deskribapena

Semicorex-ek silizio-karburoa (SiC) obleen produktuen linea osoa du, 4H eta 6H substratuak barne, N motako, P motako eta purutasun handiko oble erdi isolatzaileak dituztenak, epitaxiarekin edo gabe izan daitezke. Gure 4 hazbeteko N motako SiC (siliziozko karburoa) substratua siliziozko karburozko kristal bakarretik egindako kalitate handiko oblea da, N motako dopingarekin, leundu bikoitza duena.

6 hazbeteko N-motako SiC oblea energia-ibilgailu berrietan, goi-tentsioko transmisioan eta azpiestazioetan, ekipamendu zurietan, abiadura handiko trenetan, motor elektrikoetan, inbertsore fotovoltaikoetan, pultsatuko elikadura-iturrietan eta beste eremu batzuetan erabiltzen da, ekipamenduak murrizteko abantailak dituztenak. energia-galera, ekipoen fidagarritasuna hobetzea, ekipoen tamaina murriztea eta ekipoen errendimendua hobetzea eta abantaila ordezkaezinak ditu potentzia-gailu elektronikoak egiteko.

Elementuak

Ekoizpena

Ikerketa

Dummy

Kristal Parametroak

Politipoa

4H

Gainazalaren orientazio-errorea

<11-20 >4±0,15°

Parametro elektrikoak

Dopatzailea

n motako nitrogenoa

Erresistentzia

0,015-0,025 ohm·cm

Parametro mekanikoak

Diametroa

150,0 ± 0,2 mm

Lodiera

350±25 μm

Orientazio lau nagusia

[1-100]±5°

Lehen mailako luzera laua

47,5±1,5 mm

Bigarren mailako pisua

Bat ere ez

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Arkua

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Aurrealdeko (Si-aurpegia) zimurtasuna (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Egitura

Mikrohodiaren dentsitatea

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Metalezko ezpurutasunak

≤5E10atomo/cm2

HORI

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

HORI

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

HORI

Aurrealdeko Kalitatea

Aurrealdea

Eta

Gainazaleko akabera

Si-face CMP

Partikulak

≤60ea/oblea (tamaina ≥0.3μm)

HORI

Marradurak

≤5ea/mm. Luzera metatua ≤Diametroa

Luzera metatua≤2*Diametroa

HORI

Laranja azala/hobiak/orbanak/striadurak/ pitzadurak/kutsadura

Bat ere ez

HORI

Ertzaren txirbilak/koskak/hausturak/hexagonaleko plakak

Bat ere ez

Politipo eremuak

Bat ere ez

Azalera metatua≤% 20

Azalera metatua≤% 30

Aurrealdeko laser markaketa

Bat ere ez

Itzuli Kalitatea

Atzeko akabera

C-aurpegia CMP

Marradurak

≤5ea/mm, Luzera metatua ≤2*Diametroa

HORI

Atzeko akatsak (ertzetako txirbilak/koskak)

Bat ere ez

Bizkarreko zakartasuna

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Atzeko laser bidezko markaketa

1 mm (goiko ertzetik)

Ertza

Ertza

Txanflarra

Enbalajea

Enbalajea

Epi-prest hutsean ontziratzearekin

Ostia anitzeko kaseteen ontziratzea

*Oharrak: "NA" esan nahi du ez dagoela eskaerarik Aipatutako elementuek SEMI-STD-i erreferentzia egin dezakete.





Hot Tags: 6 hazbeteko N motako SiC oblea, Txina, fabrikatzaileak, hornitzaileak, fabrika, pertsonalizatua, ontziratua, aurreratua, iraunkorra
Lotutako Kategoria
Bidali kontsulta
Mesedez, eman lasai zure kontsulta beheko formularioan. 24 ordutan erantzungo dizugu.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept