- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Hasiera
>
Produktuak > Ostia > SiC Substratua > 4" 6" purutasun handiko SiC lingote erdi-isolatzailea
4" 6" purutasun handiko SiC lingote erdi-isolatzailea
Semicorex-ek 4 hazbeteko eta 6 hazbeteko SiC lingote erdi isolatzailea eskaintzen du. Urte asko daramatzagu obleen fabrikatzaile eta hornitzaile. Gure 4" 6" purutasun handiko erdi-isolatzaileak SiC lingoteak prezio abantaila ona du eta Europako eta Amerikako merkatu gehienak estaltzen ditu. Zure epe luzerako bazkide bihurtzea espero dugu Txinan.
Bidali kontsulta
Produktuaren Deskribapena
Gure 4" 6" purutasun handiko erdi-isolatzaileak SiC lingoteak prezio abantaila ona du eta Europako eta Amerikako merkatu gehienak estaltzen ditu. Espero dugu zure epe luzerako bazkide bihurtzea Txinan.
|
4 hazbeteko SiC lingote erdi isolatzailea |
||
|
Elementuak |
Ekoizpen-maila |
Dummy Gradua |
|
Politipoa |
4H |
|
|
Erresistentzia/ohm ·cm |
HORI |
|
|
Diametroa |
100,25±0,25 mm |
|
|
Lodiera |
≥15 mm |
|
|
Gainazalaren orientazio errorea |
0±0,2° |
|
|
Orientazio lau nagusia |
[1- 100]±5,0° |
|
|
Lehen mailako luzera laua |
32,5±1,5 mm |
|
|
Bigarren mailako pisua |
90,0° CW Primariotik ±5,0°, silizioa gora begira |
|
|
Bigarren mailako luzera laua |
17±1,5 mm |
|
|
Mikrohodiaren dentsitatea |
≤1 ea/cm2 |
≤10 ea/cm2 |
|
Ertzaren Pitzadurak |
≤3, ≤1 mm/ea |
≤5, ≤3 mm/ea |
|
Politipo eremuak |
Bat ere ez |
≤%5 azalera |
|
Ertzaren koskak |
≤3 ea，≤1mm zabalera eta sakonera |
≤5 ea，≤2mm zabalera eta sakonera |
|
Etiketa |
C-aurpegia |
|
|
Enbalajea |
unitate-lingo kasetea, hutsean ontziratzea |
|
|
6 hazbeteko SiC lingote erdi isolatzailea |
||
|
Elementuak |
Ekoizpen-maila |
Dummy Gradua |
|
Politipoa |
4H |
|
|
Erresistentzia/ohm ·cm |
HORI |
|
|
Diametroa |
150,25±0,25 mm |
|
|
Lodiera |
≥10 mm |
|
|
Gainazalaren orientazio errorea |
0±0,25° |
|
|
Notch orientazioa |
[1- 100]±5,0° |
|
|
Notch sakonera |
1~1,25 mm |
|
|
Mikrohodiaren dentsitatea |
≤1 ea/cm2 |
≤10 ea/cm2 |
|
Ertzaren Pitzadurak |
≤3, ≤1 mm/ea |
≤5, ≤3 mm/ea |
|
Politipo eremuak |
Bat ere ez |
≤%5 azalera |
|
Ertzaren koskak |
≤3 ea，≤1mm zabalera eta sakonera |
≤5 ea，≤2mm zabalera eta sakonera |
|
Etiketa |
C-aurpegia |
|
|
Enbalajea |
unitate-lingo kasetea, hutsean ontziratzea |
|
Hot Tags: 4" 6" purutasun handiko erdi isolatzailea SiC lingotea, Txina, fabrikatzaileak, hornitzaileak, fabrika, pertsonalizatua, ontziratua, aurreratua, iraunkorra
Lotutako Kategoria
Bidali kontsulta
Mesedez, eman lasai zure kontsulta beheko formularioan. 24 ordutan erantzungo dizugu.
