P motako SiC Substrate Wafer

Semicorex-ek silizio karburoko (SiC) obleen produktuen linea osoa du, 4H eta 6H substratuak barne, N motako, P motako eta purutasun handiko oble erdi isolatzaileak dituztenak, epitaxiarekin edo gabe izan daitezke.

Semicorex P motako SiC Substrate Wafer leundutako gainazaleko akabera bikoitzarekin diseinatuta dago, lautasun eta gainazal kalitate handiagoa bermatuz. Ezaugarri hau funtsezkoa da material erdieroaleen deposizio koherentea eta zehatza bermatzeko gailuen fabrikazioan.

Gure P motako SiC Substrate Wafer-ek eroankortasun elektriko bikaina eskaintzen du, eta tenperatura altuko eta potentzia handiko gailu elektronikoetarako substratu-material ezin hobea da. Bere propietate bereziei esker, ondo funtzionatzen du ingurune gogorretan, tenperatura altuetan, erradiazio altuetan eta baldintza korrosiboetan barne.