Hasiera > Produktuak > Silizio-karburoa estalita > RTP eramailea > SiC estalitako RTP eramaile-plaka hazkuntza epitaxialerako
SiC estalitako RTP eramaile-plaka hazkuntza epitaxialerako

SiC estalitako RTP eramaile-plaka hazkuntza epitaxialerako

Semicorex SiC estalitako RTP Eramailearen Plaka Epitaxial Growthrako soluzio ezin hobea da erdieroaleen obleak prozesatzeko aplikazioetarako. MOCVD-k grafito, zeramika eta abarren gainazalean prozesatutako kalitate handiko karbono-grafitozko suszeptoreekin eta kuartzozko arragoekin, produktu hau aproposa da obleak manipulatzeko eta hazkuntza epitaxialeko prozesatzeko. SiC estalitako eramaileak eroankortasun termiko handia eta bero banaketa propietate bikainak bermatzen ditu, RTA, RTP edo garbiketa kimiko gogorrak egiteko aukera fidagarria bihurtuz.

Bidali kontsulta

Produktuaren Deskribapena

Gure SiC estalitako RTP Eramailearen hazkuntza epitaxialerako plaka deposizio-inguruneko baldintza gogorrenak jasateko diseinatuta dago. Bero eta korrosioarekiko erresistentzia handia dutenez, epitaxia suszeptoreak deposizio-ingurune ezin hobean jasaten dira hazkuntza epitaxialerako. Eramailearen SiC kristalezko estaldura finak gainazal leuna eta iraunkortasun handia bermatzen ditu garbiketa kimikoen aurka, materiala pitzadurak eta delaminazioa saihesteko diseinatuta dagoen bitartean.
Jar zaitez gurekin harremanetan gaur gure SiC estalitako RTP Eramailearen Plaka Epitaxial Hazkundeari buruz gehiago jakiteko.


SiC estalitako RTP Carrier Platearen parametroak Hazkunde epitaxialerako

CVD-SIC estalduraren zehaztapen nagusiak

SiC-CVD propietateak

Kristal Egitura

FCC β fasea

Dentsitatea

g/cm³

3.21

Gogortasuna

Vickers gogortasuna

2500

alearen tamaina

μm

2~10

Garbitasun kimikoa

%

99.99995

Bero Ahalmena

J kg-1 K-1

640

Sublimazio-tenperatura

2700

Indar felesural

MPa (RT 4 puntu)

415

Gazteen Modulua

Gpa (4 puntuko bihurgunea, 1300 ℃)

430

Hedapen termikoa (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Eroankortasun termikoa

(W/mK)

300


SiC estalitako RTP eramaile-plakaren ezaugarriak Hazkunde epitaxialerako

Garbitasun handiko SiC estalitako grafitoa
Beroarekiko erresistentzia eta uniformetasun termiko handiagoa
SiC kristal finak estalitako gainazal leun baterako
Iraunkortasun handia garbiketa kimikoen aurka
Materiala pitzadurak eta delaminazioa gerta ez dadin diseinatuta dago.





Hot Tags: SiC estalitako RTP Eramailearen Plaka Epitaxial Hazkunderako, Txina, Fabrikatzaileak, Hornitzaileak, Fabrika, Pertsonalizatua, Solana, Aurreratua, Iraunkorra
Lotutako Kategoria
Bidali kontsulta
Mesedez, eman lasai zure kontsulta beheko formularioan. 24 ordutan erantzungo dizugu.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept