Disko hargailua

Semicorex Susceptor Disca ezinbesteko tresna da lurrun kimiko organiko metalikoen deposizioan (MOCVD), geruza epitaxialaren deposizio prozesu kritikoan erdieroaleen obleak eusteko eta berotzeko bereziki diseinatua. Susceptor Disca funtsezkoa da gailu erdieroaleen fabrikazioan, non geruza zehatza haztea funtsezkoa den. Semicorex-ek merkatuan liderra den kalitatearekin duen konpromisoak, kontu fiskal lehiakorrekin batera, zure erdieroaleen obleak garraiatzeko baldintzak betetzeko lankidetzak ezartzeko gogoa sendotzen du.

Bidali kontsulta

Produktuaren Deskribapena

Garbitasun handiko grafitoz egina eta siliziozko karburozko (SiC) geruza batez estalita MOCVD teknika erabiliz, Semicorex Susceptor Disc-ek propietate termiko apartak eta egonkortasun kimiko nabarmena konbinatzen ditu. Siliziozko karburozko estaldurak tenperatura altuekiko eta baldintza korrosiboekiko erresistentzia bikaina bermatzen du, funtsezkoa Susceptor Diskoaren osotasuna mantentzeko ingurune zailetan.

Gainera, Susceptor Diskoaren SiC estaldurak bere eroankortasun termikoa hobetzen du, eta horrek bero banaketa azkarra eta uniformea ahalbidetzen du, hazkuntza epitaxial koherentea izateko. Beroa modu eraginkorrean xurgatzen eta irradiatzen du, film meheak jalkitzeko ezinbestekoa den tenperatura egonkorra eta uniformea eskainiz. Uniformetasun hori ezinbestekoa da kalitate handiko geruza epitaxialak lortzeko, gailu erdieroale aurreratuen funtzionaltasun eta errendimendurako oinarrizkoak direnak.

Susceptor Diskoaren diseinuak hedapen termikoaren erronkari ere aurre egiten dio. Bere hedapen termikoaren koefiziente minimoak geruza epitaxialekin lotura sendoa bermatzen du, ziklo termikoaren ondorioz pitzadura-arriskua murriztuz. Ezaugarri honek, Susceptor Disc-en urtze-puntu altuarekin eta oxidazio-erresistentzia bikainarekin batera, funtzionamendu fidagarria ahalbidetzen du muturreko baldintzetan.

Propietate aurreratu hauekin, Susceptor Diskoak MOCVD aplikazio modernoen eskakizun zorrotzak betetzen ez ezik, gainditzen ditu, hazkuntza epitaxialaren prozesuaren eraginkortasun orokorra eta irteera hobetzen dituen errendimendu handiko irtenbide fidagarria eskainiz.