Sic epitaxial modulua

SIC epitaxial modulua, SIC kalifikazioa, SIC estalitako grafitoa, silizio karburo (sic) epitaxia prozesuen elementu zailenak jasateko garatzen den ekipamendu epituxialen zati da. Modulu hau, tenperatura altuko lurruneko gordailu kimikoan (CVD) aplikazioetan, osagai garrantzitsua da kalitate handiko hazkunde epitaxialean ogitartekoen egonkortasuna eta laguntza erakusteko. SIC modulua erdibideko material eraginkorra da, kalitate epituxialen produkzio fidagarria eta errepikagarria lortzeko kalitate sic zehaztapenekin koherenteak.

SIC modulua silikonaren karburo geruza trinko eta uniformez estalitako substratu grafitoa da eta partikulen kutsadura eta korrosioarekiko erresistentea da, baita prozesuko kimika larrienetan ere. SIC estaldurak azpiko grafitoaren kutsadura eta higadura debekatzen du eta laguntza mekaniko eta babes mekanikoa eskaintzea 1600 ºC arte. SIC moduluak grafitoaren indarra eta mekanizazioa konbinatzen ditu silikonazko karburoaren propietateen higadura, korrosio eta erresistente kimikoen propietateekin, modulurik egokiena izan dadin, iraunkortasunari dagokionez, atmosfera epitaxial gogorrean.

Modulua profil termiko uniformea emateko diseinatuta dago, txirrindularitza termikoan zehar dimentsio aldaketa txikitzen duen bitartean. Uniformetasun eta egonkortasun termiko hau ezinbestekoa da wafer lautada eta epitaxia uniformetasuna mantentzeko. Okerrak jarrera egonkorra mantentzen badu eroankortasun termiko altuarekin, orduan prozesatzeko garaian dauden baldintza termikoak uniformea izango da, eta horrek positiboki eragin du etekina, kalitatea eta beherakada, zati porrotarekin edo kutsadurarekin lotutakoak.

SIC modulua, hot-horma eta hotz-horma barne, hotxako erreaktore epitaxialekin bateragarria da eta erreaktoreen diseinu eta bezeroen beharretara egokitzeko forma eta dimentsioak pertsonalizatu ahal izateko aukera du. SIC modulua ondo egokitzen da, baina ez da, baina ez, 4 hazbeteko, 6 hazbeteko eta 8 hazbeteko Epitario Epitaratu aplikazioak sortzen ari dira. SIC moduluaren geometria eta geometria optimizatua dela eta, interferentzia fisikoa gutxitzen da gasaren fluxu dinamikan eta gradiente termikoetan duen eraginean, geruza epituxialaren hazkunde kontrolatuagoa onartzen dutenak.

SICOrex-en SIC Epitarxial moduluek ez dute incentrics muntaia kontrolatutako pieza kontrolatuena. Kalitate handiko kontrol protokoloez gain, SIM-ek azken estaldura-metodoak erabiltzen ditu SIC film uniformeak, trinkoak eta txikiak aplikatzeko. Erdizek historia luzea du errendimendu handiko zeramikazko estaldurak eta grafito mekanizaziorako. Produktuen bizitza, koherentzia eta prozesuaren egonkortasuna lotetik lote batetik bestera egokiena eskaintzen duten prozesuen prestazioak identifikatzeko.

SIC gailuen eboluzionatu azkar-eremuan, material materialak zuzenean gailuaren errendimenduan zuzenean eragiten duenean, epitaxial modulua ez da kontsumigarria soilik, gaitzaile kritikoa da. SIC estalitako grafitoaren epitaxitak SIXOREX-eko moduluak soluzio sendoa eta fidagarria eskaintzen du bezeroei eraginkortasunaren, errendimenduaren eta kostu eraginkortasunaren mugak bultzatu nahi dituzten bezeroentzat.