- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berriak
GaN vs SiC
Gaur egun, hainbat material daude ikertzen, eta horien artean silizio karburoa itxaropentsuenetako bat da. GaN-en antzera, funtzionamendu-tentsio handiagoak, matxura-tentsio handiagoak eta eroankortasun handiagoa ditu silizioarekin alderatuta. Gainera, bere eroankortasun termiko handiari esker, sili......
Irakurri gehiago
Galio nitruroaren (GaN) aplikazioen abantailak eta desabantailak
Munduak erdieroaleetan aukera berriak bilatzen dituen heinean, galio nitruroak etorkizuneko potentziarako eta RF aplikazioetarako hautagai potentzial gisa nabarmentzen jarraitzen du. Hala ere, eskaintzen dituen onura guztiengatik, erronka handi bati aurre egiten dio oraindik; ez dago P motako (P mot......
Irakurri gehiago
Galio oxidoaren oblearen aplikazioak
Galio oxidoa (Ga2O3) material itxaropentsu gisa agertu da hainbat aplikaziotarako, batez ere potentzia-gailuetan eta irrati-maiztasuneko (RF) gailuetan. Artikulu honetan, domeinu hauetan galio oxidoaren funtsezko aukerak eta xede-merkatuak aztertzen ditugu.
Irakurri gehiago
Galio oxidoa (Ga2O3) sartzea
Galio oxidoak (Ga2O3) "bandgap ultra-zabaleko erdieroale" material gisa arreta iraunkorra jaso du. Bandgap ultra-zabaleko erdieroaleak "laugarren belaunaldiko erdieroaleen" kategorian sartzen dira, eta hirugarren belaunaldiko erdieroaleekin alderatuta, hala nola silizio karburoa (SiC) eta galio nitr......
Irakurri gehiago
Zer da grafitizazioa?
Grafitoa grafitoa ez den ikatza grafito ikatz bihurtzeko prozesua da, grafitozko hiru dimentsioko egitura ordenatu erregular batekin tenperatura altuko tratamendu termikoaren bidez, erresistentzia elektrikoaren beroa guztiz aprobetxatuz ikatza materiala 2300 ~ 3000 ℃-ra berotzeko eta ikatza eraldatz......
Irakurri gehiago
Silizio kristal bakarreko erdieroaleen eremu termikoaren estaldura
Erdieroale siliziozko kristal bakarreko eremu beroan estalitako piezak, oro har, CVD metodoaren bidez estaltzen dira, karbono pirolitikoa estaldura barne, silizio karburo estaldura eta tantalio karburo estaldura, bakoitza ezaugarri ezberdinekin.
Irakurri gehiago
