- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berriak
Grafitozko itsasontziaren oinarrizko teknologia aurkezten
Graphite Boat, bere industrian berrikuntza teknologikoaren abangoardian dago, errendimendua, garbitasuna eta bizi-iraupena hobetzeko diseinatutako aurrerapen aitzindarien multzoa du. Jarraian, grafitozko itsasontzien bikaintasuna definitzen duten oinarrizko teknologietan sakontzen dugu:
Irakurri gehiago
Grafito porotsua Kalitate handiko SiC kristalen hazkunderako PVT metodoaren bidez
Silizio karburoa (SiC) erdieroaleen teknologiaren alorrean funtsezko material gisa agertu da, eta hainbat aplikazio elektroniko eta optoelektronikotarako oso desiragarria egiten duten aparteko propietateak eskaintzen ditu. Kalitate handiko SiC kristal bakarren ekoizpena funtsezkoa da potentzia elekt......
Irakurri gehiago
Grafitoa moldatzeko 3 metodo
Grafitoa moldekatzeko lau molde nagusiak hauek dira: estrusioa, moldaketa, bibraziozko moldaketa eta moldaketa isostatikoa. Merkatuan dauden karbono/grafito ohiko material gehienak estrusio eta moldaketa beroaren bidez moldatzen dira (hotza edo beroa), eta moldaketa isostatikoa moldaketa errendimend......
Irakurri gehiago
Zer da grafito isostatikoa?
Grafito berezitua % 99,99 baino handiagoa duen karbono-masa-frakzioa duen grafitoa da, "hiru grafito altuko" izenez ere ezaguna (erresistentzia handia, dentsitate handia, purutasun handia). Indar handia, dentsitate handia, purutasun handia, egonkortasun kimiko handia, eroankortasun termiko eta elekt......
Irakurri gehiago
Lurrun Garraio Fisikoa (PVT) aurkezten
SiC-ren ezaugarriek bere kristal bakarreko hazkundea zailagoa dela zehazten dute. Presio atmosferikoan Si:C=1:1 fase likidorik ez dagoenez, erdieroaleen industriaren korronte nagusiak hartutako hazkunde-prozesu helduagoa ezin da erabili hazkunde-metodo helduagoa-tiratze metodo zuzena, beheranzko arr......
Irakurri gehiago
850 V-ko potentzia handiko GaN HEMT Epitaxial produktuak kaleratu ditu
2023ko azaroan, Semicorex-ek 850V GaN-on-Si produktu epitaxialak kaleratu zituen tentsio handiko eta korronte handiko HEMT potentzia-gailuen aplikazioetarako. HMET potentzia-gailuetarako beste substratu batzuekin alderatuta, GaN-on-Si-k obleen tamaina handiagoak eta aplikazio dibertsifikatuagoak aha......
Irakurri gehiago
