Aixtron G5-rako 6''ko obleen eramailea

Aixtron G5-rako Semicorex 6'' Wafer Carrier, sarritan susceptor deitzen dena, funtsezko eginkizuna betetzen du oblei erdieroaleak segurtasunez eutsita tenperatura altuko prozesatzean. Suszeptoreek obleak posizio finko batean mantentzen direla ziurtatzen dute, eta hori funtsezkoa da geruza uniformearen deposiziorako:

Kudeaketa Termikoa:

Aixtron G5-rako 6"-ko Wafer Carrier obleen gainazalean beroketa eta hozte uniformea ​​eskaintzeko diseinatuta dago, eta hori ezinbestekoa da kalitate handiko erdieroale geruzak sortzeko erabiltzen diren hazkuntza epitaxial-prozesuetarako.

Hazkunde epitaxiala:

SiC eta GaN geruzak:

Aixtron G5 plataforma SiC eta GaN geruzen epitaxial hazkuntzarako erabiltzen da batez ere. Geruza hauek oinarrizkoak dira elektroi-mugikortasun handiko transistoreak (HEMTs), LEDak eta beste gailu erdieroale aurreratuak fabrikatzeko.

Zehaztasuna eta uniformetasuna:

Hazkunde epitaxialaren prozesuan behar den zehaztasun eta uniformitate handia Aixtron G5-erako 6"-ko Wafer Carrier-en aparteko propietateek errazten dute. Eramaileak errendimendu handiko gailu erdieroaleetarako behar den lodiera zorrotza eta konposizio-uniformitatea lortzen laguntzen du.

Abantailak:

Tenperatura handiko egonkortasuna:

Muturreko Tenperaturaren tolerantzia:

Aixtron G5-rako 6"-ko obleak tenperatura oso altuak jasan ditzake, askotan 1600 °C gainditzen dituena. Egonkortasun hori funtsezkoa da denbora luzez tenperatura altu iraunkorrak behar dituzten prozesu epitaxialetarako.

Osotasun termikoa:

Aixtron G5-rako 6"-ko Wafer Carrier-ek tenperatura altuetan egituraren osotasuna mantentzeko duen gaitasunak errendimendu koherentea bermatzen du eta degradazio termikoaren arriskua murrizten du, eta horrek geruzen erdieroaleen kalitatea arriskuan jar dezake.

Eroankortasun termiko bikaina:

Beroaren banaketa:

SiC-ren eroankortasun termiko altuak bero-transferentzia eraginkorra errazten du obleen gainazalean zehar, tenperatura-profil uniformea ​​bermatuz. Uniformetasun hori ezinbestekoa da geruza epitaxialetan akatsak eta ez-uniformitateak ekar ditzaketen gradiente termikoak saihesteko.

Prozesuaren Kontrol hobetua:

Kudeaketa termiko hobetuak hazkuntza epitaxialaren prozesua hobeto kontrolatzeko aukera ematen du, kalitate handiagoko geruza erdieroaleak ekoiztea ahalbidetuz, akats gutxiagorekin.

Erresistentzia kimikoa:

Ingurune korrosiboaren bateragarritasuna:

Aixtron G5-rako 6"-ko obleen garraiolariak CVD prozesuetan erabili ohi diren gas korrosiboekiko erresistentzia paregabea eskaintzen du, hala nola hidrogenoa eta amoniakoa. Erresistentzia honek obleen eramaileen iraupena luzatzen du, grafitozko substratua eraso kimikoetatik babestuz.

Mantentze-kostuak murriztea:

Aixtron G5-rako 6"-ko Wafer Carrier-aren iraunkortasunak mantentze- eta ordezkapenen maiztasuna murrizten du, kostu operatiboak murrizten ditu eta Aixtron G5 ekipoen funtzionamendu-denbora handitzen du.

Hedapen termikoaren koefiziente baxua (CTE):

Estres termiko gutxitua:

SiC-ren CTE baxuak estres termikoa minimizatzen laguntzen du hazkunde epitaxialaren prozesuen berezko berotze- eta hozte-ziklo azkarrean. Estres termikoaren murrizketa honek obleak pitzatzeko edo okertzeko probabilitatea murrizten du, eta horrek gailuaren porrota ekar dezake.

Aixtron G5 ekipoarekin bateragarritasuna:

Neurrira egindako diseinua:

Aixtron G5-rako Semicorex 6'' Wafer Carrier Aixtron G5 ekipoarekin bateragarria izateko bereziki diseinatuta dago, errendimendu optimoa eta integrazio ezin hobea bermatuz.

Errendimendu maximizatua:

Bateragarritasun honek Aixtron G5 sistemaren errendimendua eta eraginkortasuna maximizatzen ditu, erdieroaleen fabrikazio prozesu modernoen eskakizun zorrotzak betetzeko aukera emanez.