Ostia Eramailea

· Eroankortasun termiko bikaina: bero-transferentzia eraginkorra erraztea, ezinbestekoa erdieroaleen epitaxiaren hazkunde-prozesuetan.

· Tenperatura altuko erresistentzia: SiC estaldurak muturreko bero-inguruneak jasaten ditu, garraiolariak erreaktorearen ziklo termiko osoan zehar bere errendimendua mantentzen duela bermatuz.

· Korrosioarekiko erresistentzia kimikoa: SiC estaldurak nabarmen hobetzen du garraiolariaren erresistentzia epitaxian sarritan aurkitu ohi diren gas erreaktiboen oxidazio eta korrosioarekiko.

· Dimentsio-egonkortasuna: SiC eta grafitoaren konbinazioak garraiatzaileak bere forma eta zehaztasuna mantentzen duela ziurtatzen du denboran zehar, prozesu luzeetan deformazio-arriskua gutxituz.

Aplikazioak Erdieroaleen Epitaxia Hazkundean

Epitaxia material erdieroaleko geruza mehe bat substratu batean, normalean oblea batean, metatzen den prozesu bat da, sare kristalezko egitura bat osatzeko. Prozesu horretan, obleen doitasun-kudeaketa funtsezkoa da, obleen kokapenean desbideratze txikiek ere akatsak edo aldaerak sor ditzakete geruzen egituran.

Wafer Carrier-ek funtsezko eginkizuna du erdieroaleen obleak prozesu honetan zehar seguru eusten eta behar bezala kokatuta daudela ziurtatzeko. SiC estalitako grafitoaren konbinazioak silizio-karburoaren (SiC) epitaxirako beharrezko errendimendu-ezaugarriak eskaintzen ditu, purutasun handiko SiC kristalak hazten dituen prozesu bat potentzia-elektronika, optoelektronika eta erdieroale aurreratuen aplikazioetan erabiltzeko.

Zehazki, Wafer Carrier:

· Obleen lerrokadura zehatza eskaintzen du: oblean zehar geruza epitaxialaren hazkuntzan uniformetasuna bermatzea, eta hori funtsezkoa da gailuaren errendimendurako eta errendimendurako.

· Ziklo termikoak jasaten ditu: SiC estalitako grafitoak egonkorra eta fidagarria izaten jarraitzen du, nahiz eta tenperatura altuko inguruneetan 2000 °C-ra arte, prozesu osoan zehar obleen manipulazio koherentea bermatuz.

· Obleen kutsadura murrizten du: Eramailearen purutasun handiko materialaren konposizioak bermatzen du oblea ez dela nahi ez diren kutsatzaileen eraginpean hazkuntza epitaxialaren prozesuan.

Epitaxia erreaktore erdieroaleetan, Wafer Carrier erreaktore-ganberaren barruan kokatzen da, non oblearen euskarri-plataforma gisa funtzionatzen duen. Eramaileari esker, oblea hazkuntza epitaxialaren prozesuan erabiltzen diren tenperatura altuak eta gas erreaktiboetara jasa daiteke oblearen osotasuna arriskuan jarri gabe. SiC estaldurak gasekiko interakzio kimikoak saihesten ditu, kalitate handiko eta akatsik gabeko materialaren hazkundea bermatuz.

SiC estalitako grafito obleen eramailearen abantailak

1. Iraunkortasun hobetua: SiC estaldurak grafito materialaren higadura erresistentzia areagotzen du, erabilera anitzetan degradatzeko arriskua murrizten du.

2. Tenperatura Handiko Egonkortasuna: Wafer Carrier-ek hazkunde epitaxialeko labeetan ohikoak diren muturreko tenperaturak jasan ditzake, bere egitura-osotasuna mantenduz okertu edo pitzatu gabe.

3. Errendimendu eta Prozesuaren Eraginkortasuna Hobetua: Obleak modu seguruan eta koherentean maneiatzen direla ziurtatuz, SiC estalitako grafitozko Wafer Carrier-ek epitaxialaren hazkunde-prozesuaren etekin orokorra eta eraginkortasuna hobetzen laguntzen du.

4. Pertsonalizazio aukerak: Eramailea tamaina eta konfigurazio aldetik pertsonalizatu daiteke epitaxial erreaktore ezberdinen behar espezifikoak asetzeko, malgutasuna emanez erdieroaleen aplikazio ugarietarako.

SemicorexSiC estalitako grafitoaWafer Carrier osagai erabakigarria da erdieroaleen industrian, epitaxiako hazkunde prozesuan obleak maneiatzeko soluzio ezin hobea eskaintzen duena. Egonkortasun termikoaren, erresistentzia kimikoaren eta erresistentzia mekanikoaren konbinazioarekin, erdieroaleen obleen manipulazio zehatza eta fidagarria bermatzen du, kalitate handiagoko emaitzak eta errendimendu hobeak lortzeko epitaxia prozesuetan. Silizio karburoaren epitaxia edo erdieroaleen beste aplikazio aurreratu batzuetarako, Wafer Carrier honek erdieroaleen fabrikazio modernoaren estandar zorrotzak betetzeko behar diren iraunkortasuna eta errendimendua eskaintzen ditu.