Ostia onartzailea

Semicorex Wafer Susceptor grafitoz egina dago eta silizio karburoz (SiC) estalita dago erdieroaleen fabrikazio modernoaren baldintza zorrotzak betetzeko.

Epitaxia prozesuetan, ingurune egonkorra eta kontrolatua mantentzea ezinbestekoa da. Wafer Susceptor-ek obleak jalkitzean jartzen diren oinarrizko plataforma gisa balio du, tenperatura-uniformitaterako, inertetasun kimikorako eta erresistentzia mekanikorako baldintza zehatzak betez, kalitate handiko geruza epitaxialak lortzeko.

Wafer Susceptor-aren oinarrizko material gisa grafitoa aukeratzea bere eroankortasun termiko bikainak eta propietate mekanikoak eragiten du. Grafitoak tenperatura altuak jasateko duen gaitasuna funtsezkoa da epitaxia erreaktoreen tenperatura altuko inguruneetan. Gainera, grafitoaren eroankortasun termikoak oblean zehar beroaren banaketa eraginkorra bermatzen du, geruza epitaxialean akatsak sor ditzaketen tenperatura gradienteen arriskua murrizten du.

Wafer Susceptor-aren errendimendua hobetzeko, silizio-karburoa (SiC) estaldura bat adituz aplikatzen da grafitoaren oinarrian. SiC erresistentzia kimiko handia duen material oso iraunkorra da, gas erreaktiboak sarritan dauden erdieroaleetan erabiltzeko aproposa da. SiC estaldurak grafitoa erreakzio kimiko potentzialetatik babesten duen babes-hesia eskaintzen du, obleen suszeptorearen iraupena bermatuz eta erreaktorearen barruan ingurune garbia mantenduz.

SiC estalitako grafitoz egindako Semicorex Wafer Susceptor erdieroaleen epitaxia prozesuetan ezinbesteko osagaia da. Grafitoaren propietate termiko eta mekanikoak silizio karburoaren egonkortasun kimiko eta termikoaren konbinazioak erdieroaleen fabrikazio modernoaren eskakizun zorrotzetarako aproposa da. Wafer bakarreko diseinuak epitaxia prozesuaren gaineko kontrol zehatza eskaintzen du, kalitate handiko gailu erdieroaleak ekoizten lagunduz. Susceptor honek obleak arreta handiz eta zehaztasun handiz maneiatzen direla bermatzen du, geruza epitaxial gorenak eta produktu erdieroale hobeak lortzen direlarik.