SiC Barril Silizio Epitaxiarako

Semicorex SiC Barrel For Silicon Epitaxy Silizio Karburoz (SiC) estalitako grafitozko materiala erabiliz eraikita dago. Eraikuntza berezi honek kolpe termikoen eta degradazio kimikoarekiko erresistentzia bikaina bermatzen du, suszeptorearen bizi-iraupena luzatuz eta prozesuaren fidagarritasuna mantenduz.

SiC Barrel For Silicon Epitaxy-ko SiC estaldura aurreratuak eroankortasun termiko eta beroaren banaketa handiagoa eskaintzen du, tenperatura-profil uniformeak sustatuz suszeptore osoan. Honek prozesuaren kontrola hobetzen du, gradiente termikoak minimizatzen ditu eta geruza epitaxialeko hazkuntza koherentea bermatzen du, kalitate handiko siliziozko filmak lortuz, uniformetasun eta garbitasun apartarekin.

Gure SiC Barrel For Silicon Epitaxy pertsonalizatu daiteke eskakizun eta lehentasun zehatzak betetzeko. Tamaina doiketetatik estalduraren lodieraren aldaketetara, diseinuan malgutasuna eskaintzen dugu prozesuko hainbat parametro egokitzeko eta aplikazio zehatzetarako errendimendua optimizatzeko.

Gure SiC Barrel For Silicon Epitaxy fidagarritasuna eta iraupena eskaintzen ditu, maiz ordezkapenekin lotutako geldialdi-denbora eta mantentze-kostuak murriztuz. Bere eraikuntza sendoak eta aparteko errendimenduak prozesuen eraginkortasuna hobetzen laguntzen du, azken finean, erdieroaleen fabrikazio-eragiketetarako produktibitatea eta kostu-eraginkortasuna hobetzen ditu.