Plaka hartzailea

Semicorex Susceptor Plaka epitaxialaren hazkuntza-prozesuan osagai erabakigarria da, film meheen edo geruzak jalkitzean obleak erdieroaleak eramateko bereziki diseinatua. Metal-Organikoaren Lurrun Kimikoen Deposizioaren (MOCVD) testuinguruan, plaka hauek tenperatura altuak jasan ditzaketen eta geruza epitaxialen hazkuntzarako gainazal egonkorra eskaintzen duten materialez landuta daude bereziki.

Prozesu honetan erabiltzen den plaka susceptor-plaka silizio karburoz (SiC) estalita dagoen grafitoz eraikita dago, MOCVD prozesu baten bidez. Silizio karburoak egonkortasun termikoa, erresistentzia mekanikoa eta erreakzio kimikoekiko erresistentzia bikainak eskaintzen ditu, eta aukera ezin hobea da hazkunde epitaxialaren baldintza zorrotzetarako.

MOCVD-n zehar, Plaka suszeptoreak funtsezko eginkizuna betetzen du oblei erdieroaleei beroa eraginkortasunez transferituz. Plakak inguruko inguruneko energia xurgatzen du eta obleetara irradiatzen du, film meheak obleen gainazaletan kontrolpean jartzea erraztuz. Tenperaturaren kontrol zehatz hori ezinbestekoa da geruza epitaxial uniformeak eta kalitate handikoak lortzeko, funtsezkoak diren gailu erdieroale aurreratuen ekoizpenean.

MOCVD prozesuetako Susceptor Plaka, SiC estalitako grafitoz osatua, plataforma fidagarri gisa balio du erdieroaleen oblei eusteko, bero-transferentzia optimoa bermatuz eta erdieroaleen aplikazioetarako nahi diren ezaugarriak dituzten film meheen hazkunde epitaxial arrakastatsuan laguntzen.