SOI Wafer Siliziozko isolatzailea

SOI Wafer Silicon On Insulator, Silicon-On-Insulator wafer bezala ere ezaguna, zirkuitu integratu aurreratuen (IC) fabrikatzeko oso erabilia den oblea erdieroale mota bat da. Siliziozko obleen ontziratu tradizionalen aurrean hainbat abantaila eskaintzen ditu, erdieroaleen industrian aukera ezaguna bihurtuz.

SOI Wafer Silicon On Insulator baten egiturak hiru geruza nagusi ditu: siliziozko geruza mehe bat (gailuaren geruza), material isolatzaileko geruza bat (kutxa) eta siliziozko oinarrizko geruza handi bat (heldulekua).

SOI Wafer Silicon On Insulator baten geruza isolatzaileak hainbat abantaila eskaintzen ditu. Lehenik eta behin, transistoreen arteko kapazitate parasitoa murrizten du, zirkuitu errendimendua hobetzen eta abiadura handiagoko funtzionamenduan. Kapazitate murriztu honek energia-kontsumoa murrizten ere laguntzen du, SOI gailuak potentzia-eraginkortasuneko aplikazioetarako egokiak bihurtuz.

Gainera, geruza isolatzaileak gailu aktiboen arteko isolamendu elektrikoa eskaintzen du, diapositiba murriztuz eta maiztasun handiko zirkuituetan seinalearen osotasuna hobetuz. Hau bereziki abantailatsua da irrati-frekuentzia (RF) eta seinalearen kalitatea funtsezkoa den aplikazio analogikoetan.

SOI Wafer Silicon On Insulator-en beste abantaila bat erradiazio gogortasuna da. Geruza isolatzaileak erradiazioek eragindako efektuen aurkako ezkutu natural gisa jokatzen du, SOI gailuak erradiazio-kalteekiko erresistenteagoak izateko. Propietate honek SOI teknologia egokia bihurtzen du aeroespaziala, nuklearra eta erradiazio handiko beste ingurune batzuetarako.