Silizioa isolatzaileen ostia

Silicon On Insulator oblearen egitura hiru geruza nagusiz osatuta dago. Goiko geruza kristal bakarreko siliziozko film mehe bat da, normalean nanometro batzuetatik mikrometro batzuetara bitartekoa. Siliziozko geruza mehe honek transistoreak eta beste osagai elektroniko batzuk eraikitzen dituen eskualde aktibo gisa balio du.

Siliziozko geruza mehearen azpian material isolatzaile geruza bat dago. Geruza isolatzaile honek hesi gisa jokatzen du, silizio geruza mehearen eta substratu geruzaren artean karga elektrikoen fluxua eragozten du.

Beheko geruza substratua da, kristal bakarreko siliziozko geruza lodiagoa dena. Obleari euskarri mekanikoa ematen dio eta sortutako beroa xahutzeko bero-hustubide gisa ere balio du.

Silicon On Insulator oblearen fabrikazio-prozesuak hainbat teknika hartzen ditu barne, besteak beste, obleen lotura eta geruzak transferitzeko metodoak. Teknika hauek kalitate handiko siliziozko geruza mehe bat sortzea ahalbidetzen dute geruza isolatzailearen gainean.

Silicon On Insulator obleak gero eta garrantzi handiagoa hartu du erdieroaleen industrian, batez ere mikroprozesadoreen, memoria-gailuen, RF zirkuituen eta abiadura handiko komunikazio-sistemen ekoizpenean. Haien egitura eta abantail bereziek aplikazio elektroniko aurreratuetarako hobetsitako aukera bihurtzen dute, hainbat alorretako gailu azkarrago eta eraginkorragoak lortzen lagunduz.