SiC Prozesu Hodia

Semicorex SiC (siliziozko karburoa) prozesu-hodia obleen tratamendu termikoko prozesuetan erabiltzen den osagai espezializatua da, bereziki tenperatura altuak, atmosfera korrosiboak edo biak behar dituzten aplikazioetan. Tratamendu termikoan edo prozesamendu termikoan erdieroaleen oblei babesteko eta kontrolatutako ingurunea eskaintzeko diseinatuta dago.

Prozesuaren hodia arreta handiz diseinatuta dago ganbera zigilatu bat sortzeko, non obleak jartzen diren bero tratamendurako. Hesi gisa jarduten du, obleak inguruko ingurunearekin zuzeneko kontaktua eragozten du. Isolamendu hori funtsezkoa da prozesatzeko atmosferaren garbitasuna mantentzeko eta obleak kutsaduratik babesteko.

SiC prozesuko hodiaren barruan, oblearen tratamendu termikoa egiten da. Honek hainbat prozesu izan ditzake, hala nola, oblea materialaren propietateak aldatzeko beharrezkoak diren errekuzitzea, oxidazioa, difusioa eta bestelako tratamendu termikoak. Hodiaren propietateek, hala nola eroankortasun termiko handia eta eraso kimikoekiko erresistentzia, tenperaturaren banaketa uniformea ​​eta obleen babesa bermatzen laguntzen dute.

SiC prozesuko hodiak osagai kritikoak dira obleen tratamendu termikoko prozesuetan. Tenperatura altuko erresistentzia, inertetasun kimikoa eta ingurune kontrolatua sortzeko gaitasunak prozesamendu termikoko urratsen exekuzio arrakastatsua bermatzen du, kalitate handiko obleak erdieroaleak ekoizten dituelarik.