Siliziozko karburoko ganberako estalkia

Kristal bakarreko hazkuntzan edo MOCVD-n edo obleak manipulatzeko prozesatzeko erabiltzen den silizio-karburoko ganberaren estalkiak tenperatura altuak eta garbiketa kimiko gogorrak jasan behar ditu. Semicorex-ek purutasun handiko silizio karburoa (SiC) estalitako grafitoaren eraikuntzak bero-erresistentzia handiagoa eskaintzen du, baita uniformetasun termikoa ere epi geruzaren lodiera eta erresistentzia koherentea lortzeko, eta erresistentzia kimiko iraunkorra. Iraunkorrak dira gas aitzindari lurrunkorren, plasmaren eta tenperatura altuen konbinazioa bizitzeko.
Gure Silizio Karburoko Ganbera Estalkia gas-fluxu laminar eredu onena lortzeko diseinatuta dago, profil termikoaren berdintasuna bermatuz. Horrek kutsadura edo ezpurutasunen hedapena saihesten laguntzen du, obleen txiparen kalitate handiko hazkunde epitaxiala bermatuz.
Jar zaitez gurekin harremanetan gaur Siliziozko Karburoko Ganberaren Estalkiari buruz gehiago jakiteko.

Siliziozko Karburo Ganberaren Estalkiaren parametroak

Siliziozko karburoko ganbararen estalkiaren ezaugarriak

â Gaitasun ultra-lauak

â Ispilu-leuntzea

â Aparteko pisu arina

â Zurruntasun handia

â Dilatazio termiko baxua

â Higadura-erresistentzia izugarria