Siliziozko oblea berogailua

Semicorex Silicon Wafer Heater MOCVD erabiliz estalitako silizio karburoa da, tenperatura altuko labean funtziona dezakeena 3000 °C baino gehiago atmosfera geldo batean, 2200 °C hutsean. SiC estaldura silizio karburoa (SiC) estaldura trinko eta higadurari erresistentea da.
Gure Siliziozko Oblea Berogailuak korrosioaren eta beroarekiko erresistentzia handiko propietateak ditu, baita eroankortasun termiko bikaina ere. SiC geruza meheetan aplikatzen dugu grafitoan lurrun-deposizio kimikoa (CVD) prozesua erabiliz.
Semicorex-en, gure bezeroei kalitate handiko eta errentagarriak diren produktuak eskaintzera bideratzen gara. Gure Silicon Wafer Heater prezio abantaila bat du eta Europako eta Amerikako merkatu askotan esportatzen da. Zure epe luzerako bazkide izatea dugu helburu, kalitatezko produktu koherenteak eta bezeroarentzako arreta bikaina eskainiz.

Siliziozko obleen berogailuaren parametroak

Silicon Wafer Berogailuaren ezaugarriak

- Silizio-karburozko estaldurek CVD metodoa erabiltzen zuten bizitza hobetzeko.
- Isolamendu termikoa errendimendu handiko karbono zurrun araztuz egina.
- Bai grafitozko substratuak bai siliziozko karburozko geruzak eroankortasun termiko handia dute eta beroa banatzeko propietate bikainak dituzte.
- Garbitasun handiko grafitoa eta SiC estaldura estenopeikoen erresistentzia eta bizitza iraupen handiagoa lortzeko

Oxidazioaren aurkako eta bizitza luzeko grafitozko arragoa, grafitozko moldea eta grafitozko berogailuaren zati guztiak eman ditzakegu.