SiC ICP Aguaforteko plaka

Semicorex SiC ICP Etching Plate-k industriaren eskaerei erantzuten die eroankortasun termiko aparta, gogortasun handia eta egonkortasun kimiko nabarmena eskainiz, erdieroaleen fabrikazio aurreratuetarako hobetsitako aukera bihurtuz.

Silizio karburoa bere eroankortasun termiko apartagatik ezaguna da, erdieroaleen fabrikazioan ezaugarri erabakigarria. Propietate honi esker, SiC ICP Etching Plateak grabaketa-prozesuan sortutako beroa modu eraginkorrean xahutzen du, funtzionamendu-tenperatura optimoak mantenduz. Beroa modu eraginkorrean kudeatuz, SiC ICP Etching Plate-k gainberotzeko arriskua murrizten du, errendimendu eta fidagarritasun koherentea bermatuz, baita potentzia handiko aplikazioetan ere. Kudeaketa termiko hori ezinbestekoa da grabaketa-prozesuaren osotasuna mantentzeko eta kalitate handiko emaitzak lortzeko.

SiC ICP Etching Platearen beste ezaugarri nabarmen bat gogortasun eta higadura erresistentzia handiagoa da. Eskuragarri dagoen material gogorrenetako bat denez, Silizio Karburoak urradura eta higadura mekanikoarekiko erresistentzia paregabea erakusten du. Ezaugarri hau bereziki baliotsua da plasma grabatzeko ingurunean, non grabatzeko plaka baldintza kimiko eta fisiko oldarkorren eraginpean dagoenean. SiC ICP Etching Plate-ren iraunkortasuna zerbitzu-bizitza luzeagoa da, geldialdi-denbora murrizten du eta mantentze-kostu txikiagoak dira, eta bolumen handiko fabrikaziorako irtenbide errentagarria da.

Bere propietate termiko eta mekanikoez gain, SiC ICP Etching Plate-k egonkortasun kimiko bikaina eskaintzen du. Silizio-karburoa oso erresistentea da korrosioarekiko eta eraso kimikoarekiko, eta bere egitura-osotasuna eta errendimendua mantentzen ditu ingurune kimiko gogorretan ere. Degradazio kimikoarekiko erresistentzia hori funtsezkoa da grabaketa-prozesuaren zehaztasuna eta zehaztasuna mantentzeko, grabatzeko plakaren osotasunaren edozein konpromezuek fabrikatzen ari diren gailu erdieroaleetan akatsak sor ditzakeelako.