SiC estalitako ICP osagaia

Semicorex-en SiC-Coated ICP osagaia tenperatura altuko obleak manipulatzeko prozesuetarako bereziki diseinatuta dago, hala nola epitaxia eta MOCVD. SiC kristalezko estaldura fin batekin, gure eramaileek beroarekiko erresistentzia handiagoa eskaintzen dute, baita uniformetasun termikoa ere eta erresistentzia kimiko iraunkorra.

Bidali kontsulta

Produktuaren Deskribapena

Semicorex-en SiC-Coated ICP osagaia tenperatura altuko eta erresistentzia kimikoa behar duten obleak manipulatzeko prozesuetarako aukerarik onena da. Gure garraiolariek profil termikoak ere eskaintzen dituzte, gas-fluxu laminarraren ereduak eta kutsadura edo ezpurutasunen hedapena ekiditen dute gure SiC kristal finari esker. SiC kristalezko estaldura fin batekin, gure eramaileek beroarekiko erresistentzia handiagoa eskaintzen dute, baita uniformetasun termikoa ere eta erresistentzia kimiko iraunkorra.
Semicorex-en, gure bezeroei kalitate handiko eta errentagarriak diren produktuak eskaintzera bideratzen gara. Gure SiC estalitako ICP osagaiak prezio abantaila bat du eta Europako eta Amerikako merkatu askotan esportatzen da. Zure epe luzerako bazkide izatea dugu helburu, kalitatezko produktu koherenteak eta bezeroarentzako arreta bikaina eskainiz.
Jar zaitez gurekin harremanetan gaur SiC-Coated ICP osagaiari buruz gehiago jakiteko.

SiC estalitako ICP osagaiaren parametroak

CVD-SIC estalduraren zehaztapen nagusiak
SiC-CVD propietateak
Kristal Egitura	FCC β fasea
Dentsitatea	g/cm³	3.21
Gogortasuna	Vickers gogortasuna	2500
alearen tamaina	μm	2~10
Garbitasun kimikoa	%	99.99995
Bero Ahalmena	J kg-1 K-1	640
Sublimazio-tenperatura	℃	2700
Indar felesural	MPa (RT 4 puntu)	415
Gazteen Modulua	Gpa (4 puntuko bihurgunea, 1300 ℃)	430
Hedapen termikoa (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Eroankortasun termikoa	(W/mK)	300