Hasiera > Produktuak > Silizio-karburoa estalita > ICP Etching Eramailea > ICP siliziozko karbono estalitako grafitoa
ICP siliziozko karbono estalitako grafitoa

ICP siliziozko karbono estalitako grafitoa

Semicorex-en ICP siliziozko karbono estalitako grafitoa aukera aproposa da obleak manipulatzeko eta film meheko deposizio prozesuetarako. Gure produktuak bero eta korrosioarekiko erresistentzia handia du, baita uniformetasun termikoa ere eta gas-fluxu laminarraren eredu optimoak ditu.

Bidali kontsulta

Produktuaren Deskribapena

Hazkuntza epitaxialeko prozesatzeko erabiltzen diren oble-eramaileek tenperatura altuak eta garbiketa kimiko gogorrak jasan behar dituzte. Semicorex ICP siliziozko karbono estalitako grafito suszeptoreak epitaxia-ekipamenduen aplikazio zorrotz hauetarako bereziki diseinatuta daude. Gure produktua tenperatura altuak eta garbiketa kimiko gogorrak jasateko diseinatuta dago, iraupena eta emaitza optimoak bermatuz.
Gure ICP siliziozko karbono estalitako grafitoa gas fluxu laminarraren eredu onena lortzeko diseinatuta dago, profil termikoaren berdintasuna bermatuz. Horrek kutsadura edo ezpurutasunen hedapena saihesten laguntzen du, obleen txiparen kalitate handiko hazkunde epitaxiala bermatuz.
Jar zaitez gurekin harremanetan gaur gure ICP Silicon Carbon Coated Grafitoari buruz gehiago jakiteko.


ICP Silizio Karbono Estalitako Grafitoaren parametroak

CVD-SIC estalduraren zehaztapen nagusiak

SiC-CVD propietateak

Kristalezko Egitura

FCC β fasea

Dentsitatea

g/cm³

3.21

Gogortasuna

Vickers gogortasuna

2500

alearen tamaina

μm

2~10

Garbitasun kimikoa

%

99.99995

Bero Ahalmena

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimazio-tenperatura

2700

Indar felesural

MPa (RT 4 puntu)

415

Gaztearen modulua

Gpa (4 puntuko bihurgunea, 1300â)

430

Hedapen termikoa (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Eroankortasun termikoa

(W/mK)

300


ICP Silizio Karbono Estalitako Grafitoaren ezaugarriak

- Saihestu zuritu eta ziurtatu estaldura gainazal guztietan

Tenperatura altuko oxidazio erresistentzia: Egonkorra 1600 °C-rainoko tenperatura altuetan

Garbitasun handia: CVD lurrun-jadapen kimikoen bidez egina, tenperatura altuko klorazio-baldintzetan.

Korrosioarekiko erresistentzia: gogortasun handia, gainazal trinkoa eta partikula finak.

Korrosioarekiko erresistentzia: azido, alkali, gatza eta erreaktibo organikoak.

- Lortu gas-fluxu laminarraren eredurik onena

- Profil termikoaren berdintasuna bermatzea

- Kutsadura edo ezpurutasunen hedapena saihestea





Hot Tags: ICP siliziozko karbono estalitako grafitoa, Txina, fabrikatzaileak, hornitzaileak, fabrika, pertsonalizatua, ontziratua, aurreratua, iraunkorra

Lotutako Kategoria

Bidali kontsulta

Mesedez, eman lasai zure kontsulta beheko formularioan. 24 ordutan erantzungo dizugu.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept