SiC estalitako grafitozko erretilua

Ekipamendu epitaxialaren osagai nagusi gisa,SiC estalitako grafitozko erretilua, geruza epitaxialaren hazkundearen ekoizpen-eraginkortasuna, uniformetasuna eta akats-tasa zuzenean eragiten du.    

Grafitoaren arazketa, zehaztasun prozesatu eta garbiketa tratamenduaren bidez, grafitoaren substratuaren gainazalak lautasun eta leuntasun bikainak lor ditzake, partikulak kutsatzeko arriskua arrakastaz saihestuz. Lurrun-deposizio kimikoaren bidez, grafito-substratuaren gainazalean erreakzio kimiko bat jasaten da gas erreaktiboarekin, eta silizio-karburo (SiC) estaldura trinko, pororik gabeko eta uniformeki lodi bat sortzen du. Substratua prestatzen hasi eta estaldura tratamendura arte, produkzio-prozesu osoa 100 Klaseko gela garbi batean egiten da, erdieroaleetarako egokiak diren garbitasun-arauak betetzen dituena.

SiC estalitako grafito erretilua, purutasun handiko grafito baxuko eta SiC materialez egina, eroankortasun termiko bikaina eta hedapen termiko koefiziente baxua ditu. SiC estalitako grafitozko erretiluari beroa azkar eta uniformeki transferitzea ahalbidetzen du epitaxial geruza hazteko kalitatea hobetzeko, baina estres termikoaren ondorioz estaldura isurtzeko edo pitzatzeko arriskua murrizten du. Horrez gain, SiC estaldura uniforme eta trinkoa tenperatura altuen, oxidazioaren eta korrosioaren aurrean erresistentea da, eta denbora luzez funtzionamendu egonkorra bermatzen du tenperatura altuko eta gas korrosiboen baldintzetan.

SiC estalitako grafitozko erretiluak bateragarritasun handiagoa du metal-organiko-lurrun-deposizio kimikoko (MOCVD) ekipoekin. Tamaina zehatza izan da eta prozesu parametro eta ekipoen eskakizun desberdinetara egokitzeko diseinatu da. Semicorex-ek beti eskatzen du gure bezero estimatuei neurrira egindako zerbitzu profesionalak eskaintzea, tamaina, estaldura-lodiera eta SiC estalitako grafito-erretiluaren gainazaleko zimurtasunari buruzko beren eskakizunak zehatz-mehatz betetzeko.