Hasiera > Produktuak > Silizio-karburoa estalita > ICP Etching Eramailea > Tenperatura handiko SiC estaldura Plasma Etch Ganberetarako
Tenperatura handiko SiC estaldura Plasma Etch Ganberetarako

Tenperatura handiko SiC estaldura Plasma Etch Ganberetarako

Epitaxia eta MOCVD bezalako obleak manipulatzeko prozesuei dagokienez, Semicorex-en Tenperatura Altuko SiC estaldura Plasma Etch Ganberetarako aukerarik onena da. Gure garraiolariek bero-erresistentzia handiagoa eskaintzen dute, baita uniformetasun termikoa ere eta erresistentzia kimiko iraunkorra gure SiC kristalezko estaldurari esker.

Bidali kontsulta

Produktuaren Deskribapena

Semicorex-en, kalitate handiko obleak manipulatzeko ekipoen garrantzia ulertzen dugu. Horregatik, gure tenperatura altuko SiC estaldura plasma grabatzeko ganberetarako bereziki diseinatuta dago tenperatura altuko eta garbiketa kimiko gogorreko inguruneetarako. Gure garraiolariek profil termikoak ere eskaintzen dituzte, gas-fluxu laminarraren ereduak eta kutsadura edo ezpurutasunen hedapena ekiditen dute.
Jar zaitez gurekin harremanetan gaur Plasma Etch Ganberetarako Tenperatura handiko SiC estaldurari buruz gehiago jakiteko.


Tenperatura handiko SiC estalduraren parametroak Plasma Etch Ganberetarako

CVD-SIC estalduraren zehaztapen nagusiak

SiC-CVD propietateak

Kristalezko Egitura

FCC β fasea

Dentsitatea

g/cm³

3.21

Gogortasuna

Vickers gogortasuna

2500

alearen tamaina

μm

2~10

Garbitasun kimikoa

%

99.99995

Bero Ahalmena

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimazio-tenperatura

2700

Indar felesural

MPa (RT 4 puntu)

415

Gaztearen modulua

Gpa (4 puntuko bihurgunea, 1300â)

430

Hedapen termikoa (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Eroankortasun termikoa

(W/mK)

300


Tenperatura handiko SiC estalduraren ezaugarriak Plasma Etch Ganberetarako

- Saihestu zuritu eta ziurtatu estaldura gainazal guztietan

Tenperatura altuko oxidazio erresistentzia: Egonkorra 1600 °C-rainoko tenperatura altuetan

Garbitasun handia: CVD lurrun-jadapen kimikoen bidez egina, tenperatura altuko klorazio-baldintzetan.

Korrosioarekiko erresistentzia: gogortasun handia, gainazal trinkoa eta partikula finak.

Korrosioarekiko erresistentzia: azido, alkali, gatza eta erreaktibo organikoak.

- Lortu gas-fluxu laminarraren eredurik onena

- Profil termikoaren berdintasuna bermatzea

- Kutsadura edo ezpurutasunen hedapena saihestea





Hot Tags: Tenperatura handiko SiC estaldura Plasma Etch Ganberetarako, Txina, Fabrikatzaileak, Hornitzaileak, Fabrika, Pertsonalizatua, Solana, Aurreratua, Iraunkorra

Lotutako Kategoria

Bidali kontsulta

Mesedez, eman lasai zure kontsulta beheko formularioan. 24 ordutan erantzungo dizugu.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept