Grafitozko arragoa porotsua

Grafitozko arragoa porotsu batek paper garrantzitsua betetzen du silizio karburoaren (SiC) kristal bakarreko hazkuntza prozesuan, erdieroaleen fabrikazioan urrats erabakigarria. Arragoa espezializatu hau muturreko tenperaturak eta ingurune kimiko gogorrak jasateko diseinatuta dago, eta SiC kristalen hazkuntzan parte hartzen duten tenperatura altuko erreakzioetarako edukiontzi ezin hobea da.

Arragoa, normalean, purutasun handiko grafitozko materialarekin egina dago, eroankortasun termiko bikainagatik, inertetasun kimikoagatik eta erresistentzia mekanikoagatik ezaguna. "Poroso" terminoak grafitoaren barruan egitura iragazkor bat nahita sortzeari egiten dio erreferentzia, kristalen hazkuntza prozesuan gasen eta likidoen fluxu kontrolatua ahalbidetuz.

SiC kristal bakarreko hazkuntza-prozesuak silizio eta karbono iturriko materialen sublimazioa dakar tenperatura altuko labe batean. Grafitozko arragoa porotsuak iturri-material horien edukiontzi gisa jokatzen du, kristalen hazkuntza gerta dadin ingurune egonkorra eta kontrolatua eskainiz. Bere egitura porotsuak gas aitzindarien garraio eraginkorra ahalbidetzen du eta hazkuntza-prozesuan sortutako azpiproduktuak kentzea errazten du.

Arragoa egonkortasuna mantentzeko eta muturreko baldintzei eusteko gaitasuna ezinbestekoa da kalitate handiko SiC kristal bakarreak lortzeko, zeinak gailu erdieroaleen ekoizpenean parte hartzen duten. Arragoaren porositateak gas-fluxua eta beroaren banaketa optimizatzen laguntzen du, SiC kristal handi eta kalitate handikoen hazkuntza uniformean laguntzen du.