Berriak

GaN Industria Aplikazioak

SiC-en eta Si-n oinarritutako GaNren aplikazio-eremuak ez daude zorrozki bereizten. GaN-On-SiC gailuetan, SiC substratuaren kostua nahiko altua da, eta SiC kristal luzeen teknologiaren heldutasun handiagoarekin, gailuaren kostua gehiago jaitsiko dela espero da, eta potentzia-elektronikaren alorreko ......

Berogailu Erdieroaleei buruz

Bero tratamendua erdieroaleen prozesuko prozesu funtsezko eta garrantzitsuetako bat da. Prozesu termikoa obleari energia termikoa aplikatzeko prozesua da, gas espezifiko batez betetako ingurune batean jarriz, oxidazioa/difusioa/erreketa, etab.

Hasi 3C-SiC oblearen ekoizpena

Duela gutxi neurtutako 3C-SiC soltearen eroankortasun termikoa hazbeteko eskalako kristal handien artean bigarren altuena da, diamantearen azpitik kokatuta. Silizio karburoa (SiC) aplikazio elektronikoetan oso erabilia den banda zabaleko erdieroalea da, eta politipo gisa ezagutzen diren hainbat form......

Semicorex-ek 8 hazbeteko SiC oblea epitaxiala iragarri du

Taiwango PSMCk 300 mm-ko Wafer Fab eraikiko du Japonian

Taiwango Power Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) Japonian 300 mm-ko oblea fabrika bat eraikitzeko asmoa iragarri du SBI Holdings-ekin elkarlanean. Lankidetza honen helburua Japoniako barneko IC (zirkuitu integratua) hornikuntza-katea sendotzea da, arreta berezia jarriz AI edge informati......

Zer da CVD SiCrako