- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berriak
Zein dira sic kristal hazkuntzarako labeen zailtasun teknikoak
Kristalaren hazkunde labea silizio karburo kristalen hazkuntzarako oinarrizko ekipamendua da. Kristalezko silikonazko kristalezko hazkuntza labe tradizionalaren antzekoa da. Labearen egitura ez da oso konplexua. Labearen gorputza, berogailu sistema, bobina transmisio mekanismoz, hutsean eskuratzeko ......
Irakurri gehiago
Silizio karburoen txalupa
Wafer fabrikazioan tenperatura handiko prozesu bakoitzaren atzean jokalari isila baina erabakigarria da: txalupa. Silikonazko ogitartekoa zuzenean jartzen duen garraiolari gisa, silizioaren prozesamenduan, haren materiala, egonkortasuna eta garbitasuna zuzenean lotuta daude azken txiparen errendimen......
Irakurri gehiago
