- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berriak
Plasma-prozesuak CVD eragiketetan
Lurrun Kimikoen Deposizioa (CVD) presio partzialeko hainbat gas erreaktiboek tenperatura eta presio baldintza zehatzetan erreakzio kimiko bat jasaten duten prozesu-teknologiari deritzo. Sortzen den substantzia solidoa substratu-materialaren gainazalean metatzen da, eta horrela nahi den film mehea lo......
Irakurri gehiago
Silizio Karburoaren (SiC) Power Dispositiuen Merkatuaren gorakada eta aurreikuspena
Ibilgailu elektrikoen mundu mailan onarpena pixkanaka handitzen doan heinean, Silizio Karburoak (SiC) hazkunde-aukera berriak aurkituko ditu hurrengo hamarkadan. Aurreikuspenen arabera, potentzia erdieroaleen fabrikatzaileek eta automobilgintzako operadoreek aktiboago parte hartuko dute sektore hone......
Irakurri gehiago
Siliziozko geruza epitaxialak eta substratuak erdieroaleen fabrikazioan
Elektronika modernoan, optoelektronikaren, mikroelektronikaren eta informazioaren teknologiaren alorretan, substratu erdieroaleak eta teknologia epitaxialak ezinbestekoak dira. Errendimendu handiko eta fidagarritasun handiko gailu erdieroaleak fabrikatzeko oinarri sendoak eskaintzen dituzte. Teknolo......
Irakurri gehiago
SiC-ren abantailak EV industrian
Banda zabaleko (WBG) material erdieroale gisa, SiC-ren energia-desberdintasun handiagoak propietate termiko eta elektroniko handiagoak ematen dizkio Si tradizionalarekin alderatuta. Ezaugarri honi esker, potentzia-gailuak tenperatura, maiztasun eta tentsio altuagoetan funtzionatzea ahalbidetzen du.
Irakurri gehiago
Dopinaren Kontrola Sublimazio SiC Hazkundean
Silizio karburoak (SiC) paper garrantzitsua betetzen du potentzia elektronika eta maiztasun handiko gailuak fabrikatzeko, bere propietate elektriko eta termiko bikainengatik. SiC kristalen kalitateak eta dopin-mailak zuzenean eragiten du gailuaren errendimenduan, beraz, dopinaren kontrol zehatza SiC......
Irakurri gehiago
