Silizio Karburoa (SiC) ekoizpen-prozesuak materialaren aldetik substratua eta epitaxia prestatzea barne hartzen du, eta ondoren txiparen diseinua eta fabrikazioa, gailuen ontziratzea eta, azkenik, beherako aplikazio-merkatuetara banatzea. Etapa horien artean, substratuaren materialaren prozesamendua......
Irakurri gehiagoKristal-hazkundea Silizio Karburoko substratuen ekoizpenean oinarrizko lotura da, eta oinarrizko ekipamendua kristal-hazkuntza-labea da. Kristalezko silizio-mailako kristal hazteko labe tradizionalen antzera, labearen egitura ez da oso konplexua eta batez ere labe-gorputza, berokuntza-sistema, bobin......
Irakurri gehiagoHirugarren belaunaldiko banda zabaleko material erdieroaleek, hala nola, galio nitruroa (GaN) eta silizio karburoa (SiC), ezagunak dira beren bihurtze optoelektroniko eta mikrouhin-seinalearen transmisio-gaitasunengatik. Material hauek maiztasun handiko, tenperatura altuko, potentzia handiko eta err......
Irakurri gehiagoSilizio karburoak aplikazio ugari ditu sortzen ari diren industrietan eta industria tradizionaletan. Gaur egun, erdieroaleen merkatu globalak 100.000 milioi yuan gainditu ditu. 2025erako, erdieroaleen fabrikazioko materialen salmenta globalak 39.500 milioi dolarretara iritsiko direla aurreikusten da......
Irakurri gehiagoSiC itsasontzi bat, silizio karburozko txalupa laburra, tenperatura altuko prozesatzean obleak eramateko labe-hodietan erabiltzen den osagarria da. Silizio karburoaren propietate nabarmenak direla eta, hala nola, tenperatura altuekiko erresistentzia, korrosio kimikoa eta egonkortasun termiko bikaina......
Irakurri gehiago