Tantalo Karburoa Estalitako Grafito Porotsua

SemicorexTantalo KarburoaEstalitako grafito porosoa bereziki diseinatuta dago SiC kristalen hazkuntza-prozesuaren hainbat alderdi optimizatzeko, besteak beste, lurrun-osagaien iragazketa, tokiko tenperatura-gradientearen doikuntza, fluxuaren noranzkoaren orientazioa eta ihesen kontrola.

Tantalo Karburo Estalitako Grafito Porotsuaren izaera porotsuak SiC kristalen hazkuntza prozesuan lurrun-osagaien iragazketa eraginkorra ahalbidetzen du. Horrek bermatzen du nahi diren materialek soilik laguntzen dutela kristalak eratzen, garbitasuna eta kalitate orokorra hobetuz. Tenperaturaren kontrol zehatza mantentzea funtsezkoa da kristalen hazkundean. Tantalo Karburo Estalitako Grafito Porotsuak grafito porotsuaren egonkortasun termikoa eta eroankortasuna hobetzen ditu, tokiko tenperatura-gradienteen doikuntza zehatzagoak ahalbidetuz. Horrek kristalen morfologia eta hazkunde-tasa hobeto kontrolatzea dakar. Tantalo Karburo Estalitako Grafito Porotsuaren diseinu estrukturalak, TaC estaldurarekin konbinatuta, substantzien fluxu gidatua errazten du. Horrek materialak behar den tokian zehatz-mehatz entregatzen direla bermatzen du, kristalen hazkunde uniformea ​​sustatuz eta akatsak izateko probabilitatea murriztuz. Materialen ihesaren kontrola eraginkorra ezinbestekoa da hazkuntza-ingurunearen osotasuna mantentzeko. Tantalum Karburo Estalitako Grafito Porotsuak zigilatzeko propietate bikainak eskaintzen ditu, nahi gabeko ihesak saihestuz eta hazkuntza-atmosfera egonkorra eta kontrolatua bermatuz.

Tantalo Karburo Estalitako Grafito Porotsuaren abantailak:

Urtze-puntu altua eta egonkortasun termikoa:TaCaparteko urtze-puntu altua (3880 °C inguruan) eta egonkortasun termiko bikaina du, eta tantalio-karburoa estalitako grafito porotsua tenperatura altuko aplikazioetarako aproposa da, hala nola, SiC kristalen hazkuntzarako.

Inertetasun kimikoa: TaC erreakzio kimikoekiko oso erresistentea da, estaldura oso-osorik eta eraginkorra izaten jarraitzen duela ziurtatzen du ingurune oldarkorretan ere.

Iraunkortasuna hobetua: TaC estaldurak grafito porotsuaren iraunkortasuna nabarmen handitzen du, tantalio karburoa estalitako grafito porotsuaren iraupena luzatzen du eta maiz ordezkatzeko beharra murrizten du.

Porositate handia: grafitoaren porositate handiak iragazketa eta fluxuaren kontrola eraginkorra ahalbidetzen du, ezinbestekoa kalitate handiko kristalen hazkuntzarako.

Arina eta sendoa: grafito porotsua arina eta mekanikoki sendoa da, maneiatzeko erraza eta kristalen hazkuntza prozesuaren zorroztasuna jasateko gai da.

Eroankortasun termikoa: Grafitoaren eroankortasun termiko bikainak beroaren banaketa eraginkorra bermatzen du, funtsezkoa tenperatura-gradiente koherenteak mantentzeko.

Semicorex Tantalum Carbide Estalitako Grafito Porotsua SiC kristal hazteko materialen aurrerapen garrantzitsua da. TaC-ren propietate bereziak grafito porotsuaren berezko abantailekin konbinatuz, material honek errendimendu handiagoa eskaintzen du lurrun-osagaien iragazketan, tenperatura-gradientearen doikuntzan, fluxuaren noranzkoaren orientazioan eta ihesen kontrolan. Bere egonkortasun termiko sendoak, inertetasun kimikoak eta iraunkortasun hobeak kalitate handiko SiC kristalak bilatzeko balio ezin hobea da.