Erdieroale-mailako kuartzozko arragoa

Semicorex erdieroale-mailakoakuartzozko arragoaarku elektrikoa urtzeko prozesua erabiliz fabrikatzen dira. Beren hiru geruzako egitura konposatua garbitasun handiko barruko geruza gardena, tarteko trantsizio geruza eta kanpoko burbuila geruza konposatua osatzen dute. Geruza hauek sinergikoki funtzionatzen dute erresistentzia mekaniko handiagoa, kudeaketa termikoaren errendimendu optimizatua eta kostu-eraginkortasuna sortzeko.

Kuartzozko Grado Erdieroaleen Abantailak

1. Garbitasun handia:

Semiconductorex erdieroale-mailako kuartzozko arragoek purutasun ultra-altuko paregabea dute, ezpurutasun-edukia (adibidez, Al, Fe, Ca, Mg) ppm edo are ppb mailan zorrotz kontrolatuta. Garbitasun-kontrol honek eraginkortasunez saihesten du ezpurutasun-kutsadura silizio monokristalinoaren hazkuntza-prozesuan, eta, horrela, iturriko silizio erdieroaleen obleen errendimendu elektrikoa eta etekina bermatzen ditu.

2. Tenperatura handiko erresistentzia bikaina

Semicorex erdieroale-mailakoakuartzoaarragoa etengabe erabil daiteke 1100 ℃ tenperatura altuko ingurunean eta epe laburreko 1450 ℃ tenperatura altuak jasan ditzakete. Propietate honi esker, Semicorex erdieroale-mailako kuartzozko arragoak erdieroaleen fabrikazioaren tenperatura altuko eskakizunak guztiz bete ditzakete, tenperatura altuko deformazioak edo leuntzeak eragindako kristalak tiratzearen hutsegiteak asko saihestuz.

3. Aparteko Egonkortasun Termikoa

Semicorex erdieroale-mailako kuartzozko arragoek hedapen termiko koefiziente baxua dute, berotze edo hozte azkarrean egitura-egonkortasuna mantentzea ahalbidetzen duena eta estres termikoaren ondoriozko pitzadurak edo deformazioak minimizatzen ditu. Gainera, beren eroankortasun termiko bikainaz baliatuz, Semicorex erdieroale-mailako kuartzozko arragoek tenperatura-eremuen banaketa uniforme eta egonkorra lortzen lagun dezakete, horrela silizio monokristalinoen hagaxken kalitatea eta koherentzia hobetuz.

4. Burbuila Edukia Barne Geruzan

Semicorex erdieroale-mailako kuartzozko arragoen barruko geruza gardenak burbuila dentsitate oso baxua lor dezake kontrol zorrotzaren bidez. Honek burbuilen hedapen eta hausturaren interferentzia minimizatu dezake silizio monokristalinoaren hazkuntzan eragiketa garaian, eta horrela silizio monokristalinoen hagatxoen akats-tasa murrizten du.