Tantalo Karburo Porotsua Zeramika

Semicorex tantalio karburo porotsua den zeramika ultra-altuko zeramikazko materiala da, 3880 ℃ inguruko urtze-puntua duena, eta tenperatura altuko eta korrosio handiko funtzionamendu-ingurune zailetan errendimendu egonkorra mantendu dezake ondoko errendimendu-ezaugarri bikainei esker.

1. Jabetza termiko bikaina

Semicorex porotsuaren lan-tenperatura maximoatantalio karburo zeramika3200 ℃ arte izan daiteke, eta egonkor funtziona dezake tenperatura altuko silizio karburozko kristalen hazkuntza baldintzetan denbora luzez, inolako deformaziorik edo leuntzerik gabe.

2. Aparteko egonkortasun kimikoa

Semicorex tantalio karburozko zeramika porotsuak korrosioarekiko erresistentzia eta oxidazioarekiko erresistentzia hobeak ditu ohiko zeramika baino. Tenperatura altuko oxigenoaren eta Si lurrunaren korrosioa eraginkortasunez jasan dezake kristalen hazkuntza prozesuan.

3. Egitura porotsu berezia

Semicorex tantalio karburo porotsuaren zeramikak uniformeki banatutako barne poroak ditu, % 10-60 arteko porositatea ( pertsonalizagarria ) eta % 98tik gorako poroen tasa batekin. Egitura berezi honek Si eta C bezalako lurrun faseko elementuak kristalen hazkuntza-labearen barruan leunki isurtzen eta hedatzea ahalbidetzen du, kalitate handiko kristalen hazkuntza asko erraztuz.

Aplikazioa silizio karburo kristalen hazkundean

Silizio-karburoaren kristalaren hazkuntzan PVT prozesuaren bidez, Semicorex-ek tantalio-karburo porotsuak funtzionatzen du batez ere lurrun-faseko elementuen iragazketan, labearen tenperatura-gradientearen erregulazioan eta gas-materialaren fluxuaren orientazioan. TaC estalitako grafitozko material porotsuen aldean, Semicorex tantalio karburoaren zeramika porotsuak abantaila desberdinak erakusten ditu: porotsuak ezabatzen ditu.TaC estalitako grafitoamaterialen estaldura-tratamenduak eragindako poro-tasa baxuaren eragozpena, eta TaC estalitako grafito-material porotsuak zerbitzuan aurkitutako estaldura zuritzearen mina saihesten duen bitartean. Semicorex tantalio karburo zeramika porotsua erabiliz, silizio karburo kristalen hazkundean karbono-inklusio-akatsak modu eraginkorrean eragotzi ditzakezu, horrela kristalen hazkundearen kalitatea eta produktuaren etekina asko hobetuz.