- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berriak
Zer da kuartzoa?
Kuartzoa (SiO₂) materiala beiraren oso antzekoa da lehen begiratuan, baina gauza berezia da beira orokorra osagai ugariz osatuta dagoela (hala nola, kuartzo harea, boraxa, azido borikoa, barita, bario karbonatoa, kareharria, feldespatoa, sosa). errautsak, etab.), kuartzoak SiO₂ osagaiak baino ez dit......
Irakurri gehiago
Silizio-karburoko elementu berotzaileak
Tenperatura handiko berokuntzaren munduan, muturreko baldintzetan zehaztasuna eta fidagarritasuna lortzea ezinbestekoa da. Erronka horiei aurre egiteko, material eta diseinu berritzaileak garatu dira posible denaren mugak gainditzeko. Halako aurrerapen bat Silizio Karburoa (SiC) estalitako grafitozk......
Irakurri gehiago
Tenperaturaren eragina CVD-SiC estalduretan
Chemical Vapor Deposition (CVD) kalitate handiko estaldurak ekoizteko teknika polifazetikoa da, hainbat aplikazio dituen industria aeroespazialean, elektronikan eta materialen zientzian. CVD-SiC estaldurak ezaugarri bereziengatik ezagunak dira, besteak beste, tenperatura altuko erresistentzia, erres......
Irakurri gehiago
TaC estaldura CVD metodoarekin
Tantalio karburoaren estaldura erresistentzia handiko, korrosioarekiko erresistentea eta kimikoki egonkorra den tenperatura altuko egiturazko materiala da, 4273 °C arteko urtze-puntua duena, tenperatura erresistentzia handiena duten konposatuetako bat. Tenperatura altuko propietate mekaniko bikainak......
Irakurri gehiago
AlN Crystal Growth metodoak
AlN, hirugarren belaunaldiko material erdieroale gisa, argi urdin eta argi ultramoreen material garrantzitsua ez ezik, gailu elektronikoetarako eta zirkuitu integratuetarako ontzi, isolamendu dielektriko eta isolamendu material garrantzitsua da, bereziki tenperatura altuko eta potentzia handiko gail......
Irakurri gehiago
TaC estaldura arragoa AlN kristalen hazkunderako
Material erdieroaleen hirugarren belaunaldia AlN banda zuzeneko erdieroaleari dagokio, bere banda-zabalera 6,2 eV-koa, eroankortasun termiko handikoa, erresistentzia, matxura-eremuaren indarra, baita egonkortasun kimiko eta termiko bikaina ere, argi urdin garrantzitsua, material ultramorea ez ezik. ......
Irakurri gehiago
