Silizio karburoak (SiC) paper garrantzitsua betetzen du potentzia elektronika eta maiztasun handiko gailuak fabrikatzeko, bere propietate elektriko eta termiko bikainengatik. SiC kristalen kalitateak eta dopin-mailak zuzenean eragiten du gailuaren errendimenduan, beraz, dopinaren kontrol zehatza SiC......
Irakurri gehiagoSiC eta AlN kristal bakarreko lurrunaren garraio fisikoaren metodoaren bidez (PVT) hazteko prozesuan, arragoa, hazi-kristalen euskarria eta gida-eraztuna bezalako osagaiek ezinbesteko zeregina dute. SiC prestatzeko prozesuan, hazi-kristala tenperatura nahiko baxuko eskualde batean dago, eta lehengai......
Irakurri gehiagoSiC substratu materiala SiC txiparen muina da. Substratuaren ekoizpen-prozesua hau da: kristal bakarreko hazkuntzaren bidez SiC kristalezko lingotea lortu ondoren; orduan SiC substratua prestatzeak leuntzea, biribiltzea, ebakitzea, arteztea (mehetzea) eskatzen du; leunketa mekanikoa, leunketa mekani......
Irakurri gehiagoSilizio karburoa (SiC) egonkortasun termiko, fisiko eta kimiko aparteko materiala da, ohiko materialen ezaugarrietatik haratago doazen propietateak dituena. Bere eroankortasun termikoa 84W/(m·K) harrigarria da, kobrea baino handiagoa ez ezik silizioarena baino hiru aldiz handiagoa baita. Horrek erak......
Irakurri gehiagoErdieroaleen fabrikazioaren alorrean eboluzionatzen ari den eremuan, hobekuntza txikienek ere diferentzia handia eragin dezakete errendimendu, iraunkortasun eta eraginkortasun optimoa lortzeko orduan. Industrian burrunba handia sortzen ari den aurrerapen bat TaC (Tantalum Carbide) estaldura grafitoz......
Irakurri gehiago