- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Industria Berriak
Hirugarren belaunaldiko erdieroaleen sarrera: GaN eta erlazionatutako teknologia epitaxialak
GaN materialek protagonismoa lortu zuten 2014ko Fisikako Nobel Saria LED urdinei esker. Hasieran, kontsumo-elektronikako karga azkarreko aplikazioen bidez publikoaren begietara sartuz, GaN-en oinarritutako potentzia-anplifikadoreak eta RF gailuak ere lasai agertu dira 5G oinarrizko estazioetan osaga......
Irakurri gehiago
Substratua vs. Epitaxia: Erdieroaleen fabrikazioan funtsezko eginkizunak
Erdieroaleen teknologiaren eta mikroelektronikaren esparruan, substratu eta epitaxia kontzeptuek garrantzi handia dute. Erdieroaleen gailuen fabrikazio-prozesuan zeregin garrantzitsuak betetzen dituzte. Artikulu honetan substratu erdieroaleen eta epitaxiaren arteko desberdintasunetan sakonduko da, h......
Irakurri gehiago
Silizio-karburoaren (SiC) substratuen funtsezko parametroak
Silizio Karburoa (SiC) ekoizpen-prozesuak materialaren aldetik substratua eta epitaxia prestatzea barne hartzen du, eta ondoren txiparen diseinua eta fabrikazioa, gailuen ontziratzea eta, azkenik, beherako aplikazio-merkatuetara banatzea. Etapa horien artean, substratuaren materialaren prozesamendua......
Irakurri gehiago
Silizio-karburoaren aplikazioak
Silizio karburoak aplikazio ugari ditu sortzen ari diren industrietan eta industria tradizionaletan. Gaur egun, erdieroaleen merkatu globalak 100.000 milioi yuan gainditu ditu. 2025erako, erdieroaleen fabrikazioko materialen salmenta globalak 39.500 milioi dolarretara iritsiko direla aurreikusten da......
Irakurri gehiago
Silizio Karburo Ioien Ezarpen eta Errekuzitu Prozesuaren hastapena
Siliziozko potentzia-gailuen fabrikazio tradizionalean, tenperatura altuko difusioa eta ioi-inplantazioa dopatzaileak kontrolatzeko metodo nagusiak dira, bakoitzak bere abantailak eta desabantailak ditu. Normalean, tenperatura altuko difusioa bere sinpletasuna, kostu-eraginkortasuna, dopante isotrop......
Irakurri gehiago
