Infineonek munduko lehen 300 mm-ko Power GaN oblea aurkeztu du

Duela gutxi, Infineon Technologies-ek munduko lehen 300 mm-ko potentziako galio nitruroa (GaN) obleen teknologiaren garapen arrakastatsua iragarri zuen. Horrek teknologia aitzindari hau menderatu eta lehendik dauden eskala handiko eta gaitasun handiko fabrikazio-inguruneetan produkzio masiboa lortzen duen lehen enpresa bihurtzen ditu. Berrikuntza honek aurrerapen handia adierazten du GaN oinarritutako potentzia erdieroaleen merkatuan.

Nola alderatzen da 300 mm-ko teknologia 200 mm-ko teknologiarekin?

200 mm-ko teknologiarekin alderatuta, 300 mm-ko obleak erabiltzeak oble bakoitzeko 2,3 aldiz GaN txip gehiago ekoiztea ahalbidetzen du, ekoizpenaren eraginkortasuna eta irteera nabarmen hobetuz. Aurrerapen honek Infineonen lidergoa sendotzeaz gain, energia-sistemen arloan, GaN teknologiaren garapen azkarra ere bizkortzen du.

Zer esan zuen Infineon-eko zuzendari nagusiak lorpen honi buruz?

Jochen Hanebeck Infineon Technologieseko zuzendari nagusiak adierazi zuen: "Lorpen nabarmen honek berrikuntzan dugun indar sendoa erakusten du eta gure talde globalaren ahalegin etengabearen erakusgarri da. Uste irmo dugu aurrerapen teknologiko honek industriako arauak birmoldatuko dituela eta GaN teknologiaren potentzial osoa desblokeatuko duela. GaN Systems erosi genuenetik ia urtebetera, berriro ere erakusten ari gara azkar hazten ari den GaN merkatuan buru izateko gure erabakia. Energia-sistemen liderra den heinean, Infineonek abantaila lehiakorra lortu du funtsezko hiru materialetan: silizioa, silizio-karburoa eta GaN".

Infineoneko CEO Jochen Hanebeckek lehendik dagoen eta eskalagarria den fabrikazio-ingurunean ekoitzitako 300 mm-ko GaN Power obleen munduko lehen ostia dauka.

Zergatik da 300 mm-ko GaN Teknologia abantailatsua?

300 mm-ko GaN teknologiaren abantaila esanguratsu bat lehendik dauden 300 mm-ko siliziozko fabrikazio-ekipoak erabiliz ekoitzi daitekeela da, GaN-ek eta silizioak fabrikazio-prozesuetan antzekotasunak dituzte eta. Ezaugarri honi esker, Infineon-ek GaN teknologia gaur egungo ekoizpen sistemetan integratzeko aukera ematen du, eta, horrela, teknologiaren harrera eta aplikazioa azkartzen du.

Non ekoitzi ditu Infineon-ek 300 mm-ko GaN obleak?

Gaur egun, Infineon-ek arrakastaz fabrikatu ditu 300 mm-ko GaN obleak lehendik dauden 300 mm-ko silizio-lerroetan Villach-eko (Austria) zentralean. 200 mm-ko GaN teknologiaren eta 300 mm-ko silizio-ekoizpenaren oinarrian oinarrituta, konpainiak are gehiago zabaldu ditu bere gaitasun teknologikoak eta ekoizteko.

Zer esan nahi du aurrerapen honek etorkizunerako?

Aurrerapen honek Infineonek berrikuntzan eta eskala handiko ekoizpen gaitasunetan dituen indarguneak nabarmentzeaz gain, potentzia erdieroaleen industriaren etorkizuneko garapenerako oinarri sendoak ere jartzen ditu. GaN teknologiak eboluzionatzen jarraitzen duen heinean, Infineonek merkatuaren hazkundea bultzatzen jarraituko du, erdieroaleen industria globalean duen lidergo posizioa are gehiago hobetuz.**