Zer da SiC epitaxia?

Silizio-karburoa (SiC) epitaxia erdieroaleen arloan funtsezko teknologia da, bereziki potentzia handiko gailu elektronikoak garatzeko. SiC banda zabaleko erdieroale konposatua da, eta horrek tenperatura altuko eta tentsio handiko funtzionamendua behar duten aplikazioetarako aproposa da.

SiC epitaxia substratu batean material kristalinozko geruza mehe bat hazteko prozesu bat da, normalean silizioa, lurrun-deposizio kimikoa (CVD) edo izpi molekularra epitaxia (MBE) teknikak erabiliz. Geruza epitaxialak substratuaren kristal-egitura eta orientazio bera du, eta horrek bi materialen arteko kalitate handiko interfazea sortzea ahalbidetzen du.

SiC epitaxia oso erabilia izan da potentzia elektronikaren garapenean, diodoak, transistoreak eta tiristoreak bezalako potentzia-gailuak barne. Gailu hauek aplikazio ugaritan erabiltzen dira, hala nola ibilgailu elektrikoak, energia berriztagarrien sistemak eta elikatze-iturrietan.

Azken urteotan, SiC epitaxia garatzeko interesa gero eta handiagoa izan da potentzia handiko gailuak fabrikatzeko ibilgailu elektrikoak eta energia berriztagarrien sistemak bezalako aplikazioetarako. Datozen urteetan gailu hauen eskaria azkar haziko dela aurreikusten da, energia-sistema eraginkorragoak eta iraunkorragoak izateko beharrak bultzatuta.

Eskaera horri erantzunez, ikertzaileak eta enpresak SiC epitaxia teknologiaren garapenean inbertitzen ari dira, kalitatea hobetzeko eta prozesuaren kostua murrizteko arreta jarriz. Esaterako, enpresa batzuk SiC epitaxia garatzen ari dira substratu handiagoetan, oblearen kostua murrizteko, eta beste batzuk, berriz, akatsen dentsitatea murrizteko teknika berriak aztertzen ari dira.

SiC epitaxia sentsore aurreratuen garapenean ere erabiltzen ari da hainbat aplikaziotarako, besteak beste, gasaren sentsazioa, tenperatura sentsazioa eta presioaren sentsazioa. SiC-k aplikazio hauetarako aproposa egiten duten propietate bereziak ditu, hala nola, tenperatura altuko egonkortasuna eta ingurune gogorren aurkako erresistentzia.