Erdieroalean dagoen unitatea: Angstrom

Zer da Angstrom?

Angstrom (ikurra: Å) luzera-unitate oso txikia da, batez ere fenomeno mikroskopikoen eskala deskribatzeko erabiltzen dena, hala nola atomoen eta molekulen arteko distantziak edo obleen fabrikazioan film meheen lodiera. Angstrom bat \(10^{-10}\) metroren berdina da, hau da, 0,1 nanometro (nm) baliokidea.

Kontzeptu hau modu intuitiboagoan ilustratzeko, kontuan hartu analogia hau: giza ile baten diametroa 70.000 nanometrokoa da gutxi gorabehera, hau da, 700.000 Å-ra itzultzen da. Lurraren diametroa metro 1 irudikatzen badugu, orduan 1 Å Lurraren gainazalean dagoen hondar ale txiki baten diametroarekin alderatzen da.

Zirkuitu integratuen fabrikazioan, angstrom-a bereziki erabilgarria da, film oso meheen geruzen lodiera deskribatzeko modu zehatza eta erosoa eskaintzen duelako, hala nola silizio oxidoa, silizio nitruroa eta dopatutako geruzak. Erdieroaleen prozesuen teknologiaren aurrerapenarekin, lodiera kontrolatzeko gaitasuna geruza atomiko indibidualen mailara iritsi da, angstroma eremuan ezinbesteko unitate bihurtuz.

Zirkuitu integratuen fabrikazioan, angstrom-en erabilera zabala eta erabakigarria da. Neurketa honek garrantzi handia du funtsezko prozesuetan, hala nola film meheen deposizioan, akuafortean eta ioien inplantazioan. Jarraian, hainbat eszenatoki tipiko daude:

1. Film Mehearen Lodieraren Kontrola

Film meheko materialak, hala nola silizio oxidoa (SiO₂) eta silizio nitruroa (Si₃N₄), geruza isolatzaile gisa, maskara-geruza edo geruza dielektriko gisa erabiltzen dira erdieroaleen fabrikazioan. Film horien lodierak ezinbesteko eragina du gailuaren errendimenduan.  

Adibidez, MOSFET baten ate-oxido-geruza (metal-oxido erdieroalearen eremu-efektuko transistorea) normalean nanometro batzuk edo angstrom batzuk lodi dira. Geruza lodiegia bada, gailuaren errendimendua honda dezake; meheegia bada, matxura ekar dezake. Lurrun-deposizio kimikoa (CVD) eta geruza atomikoa (ALD) teknologiek film meheak angstrom-mailako zehaztasunarekin ipintzea ahalbidetzen dute, lodiera diseinu-eskakizunak betetzen dituela ziurtatuz.

2. Dopinaren Kontrola  

Ioiak inplantatzeko teknologian, inplantatutako ioien sartze-sakonera eta dosiak nabarmen eragiten dute erdieroaleen gailuen errendimenduan. Angstrom-ak maiz erabiltzen dira inplantazio-sakoneraren banaketa deskribatzeko. Esate baterako, sakonera txikiko bilgune prozesuetan, inplantazio-sakonera hamarnaka angstrom bezain txikia izan daiteke.

3. Aguafortearen zehaztasuna

Grabaketa lehorrean, angstrom mailara arte, grabatze-tasa eta geldialdi-denbora zehatz-mehatz kontrolatzea ezinbestekoa da azpiko materiala ez kaltetzeko. Adibidez, transistore baten atea grabatzean, gehiegizko grabaketak errendimendua hondatu dezake.

4. Geruza Atomikoen Deposizioa (ALD) Teknologia

ALD materialak aldi berean geruza atomiko bat jalkitzea ahalbidetzen duen teknika da, ziklo bakoitzak normalean 0,5 eta 1 Å-ko film-lodiera besterik ez du eratzen. Teknologia hau bereziki onuragarria da film ultrameheak eraikitzeko, esate baterako, konstante dielektriko handiko (High-K) materialekin erabiltzen diren ate dielektrikoak.

Semicorex-ek kalitate handikoa eskaintzen duobleak erdieroaleak. Kontsultarik baduzu edo xehetasun gehiago behar badituzu, ez izan zalantzarik eta jarri gurekin harremanetan.

Harremanetarako telefono zenbakia +86-13567891907

Posta elektronikoa: sales@semicorex.com