6 "wafer titularrak

SIXErauki 6 "Wafer titularrak, bereziki, tenperatura goreneko hazkunde prozesu zorrotzak betetzeko diseinatuta daude.

Wafer fabrikazio prozesuan, ogitar substratu batzuek geruza epitaxialak eraiki behar dituzte gailuak fabrikatzea errazteko. Adibide tipikoek LED igortzen duten gailuak dira, gaas epitaxial geruzak silizio substratuen gainean prestatzea eskatzen dutenak; SIC geruza epitaxialak SIC substratu eroaleetan hazten dira, hala nola SBDS eta Mosfets bezalako gailuak eraikitzeko, tentsio altuko, korronte altu eta bestelako aplikazioetarako; Gan epitaxial geruzak SIC substratu erdi isolatzaileetan eraikitzen dira, komunikaziorako eta beste irrati maiztasuneko aplikazioetarako beste gailuak eraikitzeko. Prozesu hau CVD ekipamenduetatik bereiztezina da.

CVD ekipamenduetan ezin da zuzenean metalezko edo besterik gabe jarri metalezko edo besterik gabe, epitaxial gordailuaren oinarrian, hala nola, gas-fluxuaren norabidea (horizontala, bertikala), tenperatura, presioa, finkatzea eta kutsatzaileen gaineko faktoreak dakartza. Hori dela eta, oinarri bat behar da, eta gero substratua erretilu batean jartzen da eta, ondoren, epitaxial gordailua substratuan egiten da CVD teknologia erabiliz. Oinarri hau aSic-estalitagrafito oinarria (6 "wafer titularrak).

6 "wafer titularrak kudeaketa termiko bikainagatik optimizatuta daude, geruzaren banaketa uniformea ziurtatuz, defektatzeko uniforme hobetzea eta emaitza orokorra hobetu da SIC hazkunde epitaxialaren garaian.

SIC oinarritutako power gailuen ikerketa eta garapen osoa egiten ari zaren ala ez, gure prozesuaren eraginkortasuna maximizatzeko beharrezkoak diren errendimendu eta fidagarritasun sendoa eskaintzen duten ala ez. Pertsonalizazio zerbitzuak eskaintzen ditugu titularraren diseinua zure sistemaren parametro bakarretara egokitzeko.