Zer da Silizio Karburoa (SiC)?

Material erdieroaleak hiru belaunalditan bana daitezke denbora-sekuentziaren arabera. Germanio, silizio eta beste monomaterial arrunten lehen belaunaldia, zirkuitu integratuetan erabiltzen den kommutazio erosoa da. Galio arseniuroaren, indio fosfuroaren eta beste erdieroale konposatuen bigarren belaunaldia, batez ere argi-igorpenerako eta komunikaziorako materialetarako erabiltzen dena. Erdieroaleen hirugarren belaunaldiak batez ere barne hartzen ditusilizio karburoa, galio nitruroa eta beste erdieroale konposatuak eta diamantea eta beste monomaterial berezi batzuk. Hirugarren belaunaldiko erdieroaleek tentsio-erresistentzia hobea dute eta material ezin hobeak dira potentzia handiko gailuetarako. Hirugarren belaunaldiko erdieroaleak dira batez eresilizio karburoaeta galio nitrurozko materialak. Erdieroaleen hirugarren belaunaldia, oro har, banda-hutsune zabalagoa denez, presioa, bero-erresistentzia hobea da, normalean potentzia handiko gailuetan erabiltzen dena. Haien artean,silizio karburoapixkanaka-pixkanaka erabilera handian sartu da, energia-gailuen arloan,silizio karburoadiodoak, MOSFETak aplikazio komertzialak hasi dituzte.

-ren abantailaksilizio karburoa

1, goi-tentsioko ezaugarri indartsuagoak: matxura eremuaren indarrasilizio karburoasilizioarena baino 10 aldiz handiagoa da, egitensilizio karburoasiliziozko gailuen tentsio handiko ezaugarri baliokideak baino nabarmen handiagoak diren gailuak.

2, tenperatura altuko ezaugarri hobeak:silizio karburoaSilizioarekin alderatuta, eroankortasun termiko handiagoa du, gailuak beroa errazago xahutzen du, lan tenperaturaren muga handiagoa da. Tenperatura altuko ezaugarriek potentzia-dentsitatea nabarmen handitu dezakete, hozte-sistemaren eskakizunak murrizten dituzten bitartean, terminala arinagoa eta miniaturizatuagoa izan dadin.

3, energia-galera txikiagoa:silizio karburoasilizioaren saturazio-elektroien desbideratze-tasa 2 bider du, eginezsilizio karburoagailuek on-erresistentzia oso txikia dute, on-egoeraren galera txikia;silizio karburoaSilizioaren banda-zabalera debekatua baino 3 aldiz handiagoa dusilizio karburoagailuek siliziozko gailuek baino korrontea isurtzen dute potentzia-galera nabarmen murrizteko;silizio karburoaitzaltze prozesuan dauden gailuak ez dira existitzen egungo atze-fenomenoan, aldaketa-galera txikia da, benetakoa asko hobetzen du Aplikazioaren aldatze-maiztasuna asko hobetzen da.