Zer da Silizio Karburoa?

Izenak dioen bezala, silizio-karburoa hirugarren belaunaldiko material erdieroale garrantzitsua da, hau da, Si eta Cz osatutako konposatu bat. Bi elementu horien konbinazio honek egitura tetraedriko sendoa lortzen du, abantaila ugari eta aplikazio-aukera zabalak emanez, batez ere potentzia-elektronikaren eta energia berrien alorretan.

Jakina, SiC materiala ez dago Si atomo bateko eta C atomo bateko tetraedro bakar batez osatuta, Si eta C atomo ugariz baizik. Si eta C atomo kopuru handi batek geruza atomiko bikoitz uhintsuak eratzen ditu (C atomoen geruza bat eta Si atomoen geruza bat), eta geruza atomiko bikoitz ugari pilatzen dira SiC kristalak sortzeko. Si-C geruza atomiko bikoitzen pilaketa prozesuan gertatzen diren aldizkako aldaketak direla eta, gaur egun 200 egitura kristalino baino gehiago daude antolamendu ezberdinekin. Gaur egun, aplikazio praktikoetan ohikoenak 3C-SiC, 4H-SiC eta 6H-SiC dira.

Silizio karburozko kristalen abantailak:

(1) Propietate mekanikoak

silizio karburozko kristalek oso gogortasun handia dute eta higadura erresistentzia ona dute, orain arte aurkitutako bigarren kristal gogorrena izanik, diamantearen ondoren bakarrik. Bere propietate mekaniko bikainak direla eta, silizio-karburo-hautsa sarritan erabiltzen da ebaketa- edo leuntze-industrian, eta pieza batzuen higadura-erresistenteak diren estaldurek ere silizio-karburozko estaldurak erabiltzen dituzte -adibidez, Shandong gerraontziaren bizkarreko higadura-erresistentea silizio-karburoz egina dago.

(2) Propietate termikoak

Silizio-karburoaren eroankortasun termikoa Si erdieroale tradizionalarena baino 3 aldiz handiagoa da eta GaAs-ena baino 8 aldiz handiagoa. Silizio karburoz egindako gailuek sortutako beroa azkar xahutu dezakete, beraz, silizio karburozko gailuek baldintza nahiko solteak dituzte beroa xahutzeko baldintzetan eta egokiagoak dira potentzia handiko gailuak fabrikatzeko. Silizio karburoak ere propietate termodinamiko egonkorrak ditu: presio arruntean, zuzenean deskonposatzen da Si eta C lurrunetan tenperatura altuetan urtu gabe.

(3) Propietate kimikoak

Silizio karburoak propietate kimiko egonkorrak eta korrosioarekiko erresistentzia bikaina ditu. Ez du erreakzionatzen giro-tenperaturan ezagutzen den azidoarekin. Silizio karburoa airean denbora luzez jartzen denean, SiO2 geruza fin trinko bat sortuko da bere gainazalean poliki-poliki, oxidazio-erreakzio gehiago saihestuz.

(4) Propietate elektrikoak

Banda zabaleko erdieroaleen material adierazgarri gisa, 6H-SiC eta 4H-SiC-ren banda-zabalerak 3,0 eV eta 3,2 eV dira, hurrenez hurren, Si-ren 3 aldiz eta GaAs-en 2 aldiz. Silizio karburoz egindako gailu erdieroaleek ihes-korronte txikiagoa dute eta matxura eremu elektriko handiagoa dute, beraz, silizio karburoa potentzia handiko gailuetarako material aproposa da. Silizio-karburoaren elektroi-mugikortasun asea Si-rena baino 2 aldiz handiagoa da, maiztasun handiko gailuak fabrikatzeko abantaila nabariak ematen dizkiolarik.

(5) Propietate Optikoak

Bere banda zabala dela eta, dopatu gabeko silizio karburozko kristalak koloregabeak eta gardenak dira. Dopatutako silizio karburozko kristalek kolore desberdinak erakusten dituzte beren propietateen desberdintasunak direla eta. Adibidez, Nrekin dopatu ondoren, 6H-SiC berdea agertzen da, 4H-SiC marroia eta 15R-SiC horia; Al-rekin dopatzeak 4H-SiC urdina agertzen du. Politipoa zehazteko kolorea behatzea silizio karburoaren politipoak bereizteko metodo intuitiboa da.

Semicorex eskaintzaksilizio karburozko substratuakhainbat neurri eta mailatan. Mesedez, jar zaitez gurekin harremanetan edozein galdera edo xehetasun gehiago lortzeko.

Tel.: +86-13567891907

Posta elektronikoa: sales@semicorex.com